干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明专利技术可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于多晶硅薄膜制备

技术介绍
目前制备多晶硅薄膜的方法主要要有:低压化学气相沉积法(LPCVD)、固相晶化法(SPC)、准分子激光诱导晶化法(ELA)、快速热退火晶化法(RTA)等。低压化学气相沉积法(LPCVD)制备多晶硅成膜致密、均匀，而且能大面积生产，但是用这种方法制备时，所需的多晶硅薄膜所生成的颗粒较小，造成薄膜晶界多，缺陷多，影响后续太阳能电池的效率。固相晶化法(SPC)虽然工艺设备简单，但是对基板材料的选择限制较大，不太适合在玻璃衬底上制作，而且即便在其他可耐高温的基底材料上，淀积多晶硅薄膜也有受所需温度太高、耗时过高、耗能大，成本过高的因素制约。准分子激光晶化法(ELA)，首先是用不同能量密度的激光束，照射非晶硅表面，使得非晶硅加热熔化，液态非晶硅冷却时发生晶化。故要求激光能量密度适中，而当激光能量密度小于晶化阈值能量密度时，非晶硅不发生晶化，而太高时，由于未能形成重结晶的固液界面，薄膜内的液化区温度比熔点高得多，冷却速度过快 ，直接导致多晶硅发生非晶化或微晶化。况且激光诱导晶化法设备复杂，制造成本较高，在对于要求经济效益高的工业化生产中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，其特征在于，具有以下过程和步骤：1）玻璃衬底的清洗：首先，使用曲拉通，即聚氧乙烯?8?辛基苯基醚TritonX?100溶液，清洗玻璃衬底的表面污垢，然后将该衬底分别依次放在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波清洗15分钟，并用氮气吹干；2）非晶硅薄膜的形成：使用等离子体增强化学气相沉积方法，在上述衬底上沉积一层非晶硅薄膜，薄膜厚度300?500?nm，沉积时衬底的温度为250?℃，使用的气源为99.999%的硅烷和氢气，控制气体辉光放电的气压为50?200?Pa，射频电压为13.56?MHz；3）二氧化硅薄膜的形成：将生长好的非晶硅薄膜样品放在氧气室中...

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，其特征在于，具有以下过程和步骤: 1)玻璃衬底的清洗:首先，使用曲拉通，即聚氧乙烯-8-辛基苯基醚TritonX-1OO溶液，清洗玻璃衬底的表面污垢，然后将该衬底分别依次放在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波清洗15分钟，并用氮气吹干； 2)非晶硅薄膜的形成:使用等离子体增强化学气相沉积方法，在上述衬底上沉积一层非晶硅薄膜，薄膜厚度300-500 nm,沉积时衬底的温度为250 V，使用的气源为99.999%的硅烷和氢气，控制气体辉光放电的气压为50-200 Pa，射频电压为13.56 MHz ； 3)二氧化硅薄膜的形成:将生长好的非晶硅薄膜样品放在氧气室中，在20-200 °〇下氧化0.5 -72小时，形成一层1-20 nm的二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱隽，史伟民，廖阳，李季戎，王国华，周平生，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：