【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及无掩膜局域蚀刻装置、无掩膜局域蚀刻方法及无掩膜局域蚀刻系统。
技术介绍
局域蚀刻(又称为局域腐蚀或局域刻蚀)是利用化学或物理的方法，在材料表面的某一个或一个以上的特定区域，将一层或一层以上的化学组成或物理性质不同的材料去除，使该材料形成特定的空间或/和材料结构，以便形成有特定光学性能、电学性能和/或光电性能的器件。现有的局域蚀刻技术主要有一下几种。A.光刻光刻是一种有掩膜的化学蚀刻，其是先在材料表面覆盖一层保护膜即光刻胶，然后用光照射该保护膜上的一定区域，使被照射区域的保护膜分解，或使被照射区域以外的保护膜分解，然后使用化学试剂将保护膜分解区域或未被分解的区域露出的表面材料蚀刻掉。该方法的优点主要是:蚀刻得到的蚀刻坑的线宽可以很小，能达到30纳米；蚀刻对剩下的材料的损伤也很小。但光刻致命的弱点一是使用的光刻胶对环境污染大；二是光刻工艺的成本较高。B.等离子蚀刻等离子蚀刻是在放置被蚀刻材料的腔体内通入一种或多种工作气体，在电场作用下产生等离子体，接着该等离子体轰击材料表面需要蚀刻的表面，直到达到一定蚀刻深度。不需要蚀刻的材料...
【技术保护点】
一种无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于，包括：供液管，其向被蚀刻物的表面提供化学试剂；排液管，其将上述化学试剂与上述被蚀刻物反应后的物质从上述表面去除；以及连接部件，其以上述供液管和上述排液管可相对移动的方式，将上述供液管和上述排液管连接。
【技术特征摘要】
1.一种无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于，包括: 供液管，其向被蚀刻物的表面提供化学试剂； 排液管，其将上述化学试剂与上述被蚀刻物反应后的物质从上述表面去除；以及连接部件，其以上述供液管和上述排液管可相对移动的方式，将上述供液管和上述排液管连接。2.根据权利要求1所述的无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于， 上述被蚀刻物包括太阳电池或太阳电池组件，上述表面包括上述太阳电池或太阳电池组件的正面、背面和/或侧面。3.根据权利要求1所述的无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于， 上述排液管和上述供液管中的一个为内管，另一个为外管。4.根据权利要求3所述的无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于，还包括: 在上述外管和上述要被蚀刻的表面之间的密封部件。5.根据权利要求3所述的无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于， 上述外管的蚀刻端...
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