糙化透明导电基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种糙化透明导电基板的制造方法。该制造方法主要包括下列步骤：沉积一透明导电层于一透明基板；及被覆于该透明基板的一面，该透明导电层经雷射源雕刻花纹以糙化其表面。以此糙化透明导电基板制成的薄膜太阳能电池，能有效提升其电流与效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种使用雷射源雕刻一花纹结构于透明导电层上的技术，藉此，可有效增加入射光的捕捉及光的利用率。
技术介绍
由于能源危机与环保意识的抬头，使太阳能电池受到大家的重视。此外，由于人们对于硅原料的制作及组件加工技术的经验累积，使硅原料成为理想的太阳能电池材料。然而，以硅晶做成的太阳能电池的转换效率，因其仅能吸收1.1电子伏特(ev)以上的太阳光能的限制、反射光造成的损失、材料对太阳光的吸收能力不足、载子在尚未被导出之前就被材料中的缺陷捕捉而失效，或是载子受到材料表面的悬浮键结捕捉产生复合等诸多因素，皆使其效率下降。因此，现在市售硅晶太阳能电池的转换效率仅约16%，即表示硅晶太阳能电池的高效率化其实还有相当大的空间。参照美国公告专利第6，380，479号，标题为:光伏单元组件及其制作方法(Photovoltaic element and method for manufacturing methodt hereof),其主要公开了一种太阳能电池的制造方法。其利用糙化的基板以增加入射光的使用率，藉以改善电流特性，进而把反射光的比率降到10%以下，并增加电池整体的光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)提供一透明基板；(b)沉积一透明导电层于该透明基板的一表面；以及(c)以一雷射源在该透明导电层上雕刻一花纹结构；该花纹结构选自圆形、三角形、矩型、多边形或不规则形之一；该花纹结构的深度介于30至300奈米之间。

【技术特征摘要】
1.一种糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，包括: (a)提供一透明基板； (b)沉积一透明导电层于该透明基板的一表面；以及 (C)以一雷射源在该透明导电层上雕刻一花纹结构； 该花纹结构选自圆形、三角形、矩型、多边形或不规则形之一； 该花纹结构的深度介于30至300奈米之间。2.根据权利要求1所述的糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，所述透明导电层选自于氧化铟锡、掺氟氧化锡、氧化铝锌、氧化铟锌、氧化锌或氧化锗锌之一。3.根据权利要求1所述的糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡(ITO)。4.根据权利要求1所述的糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，所述沉积一透明导电层于该透明基板的一表面的步骤选自化学气相沉积法、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳寰，郭镇维，
申请(专利权)人：亚树科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：