【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
,具体涉及。
技术介绍
太阳电池(又称为太阳能电池)是可以将太阳能转换成电能的半导体器件。目前,包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池在内的晶体硅太阳电池占到目前太阳电池产量的90%以上。从太阳电池的电极结构来讲,有两面都有电极的金属包覆太阳电池(MWT)、发射区包覆(EWT)太阳电池、HIT太阳电池和现在市面上占大多数的传统丝网印刷电极太阳电池,也有全背电极太阳电池,还有正面和背面都可以接受光的双面电池等等。为简单起见,又不失一般性地进行说明,下面以目前市面上占大多数的晶体硅太 阳电池为例,其结构如图1-1和图1-2所示。图1-1是晶体硅太阳电池前表面(即正面)及侧面图,图1-2是晶体硅太阳电池背表面(即背面)及侧面图。通常,太阳电池前表面是接受光的受光面,而太阳电池背表面是背光面。在垂直于太阳电池的平面方向,其结构包括太阳电池的光电活性区,该光电活性区包括基区I、通过扩散形成的p-n结2和发射区3 ;用于钝化表面并减少入射光反射的减反膜4 ;前电极指栅7和前电极主栅8,其统称为太阳电池的前电极;以及背电极板6和背电极主栅5,其统称为 ...
【技术保护点】
一种太阳电池,其由多个太阳电池碎片拼接而成,每个太阳电池碎片包括正电极、光电活性区和负电极,其特征在于,包括:正面,其是接受光的受光面;背面,其是与上述正面相反的另一面;接缝,其位于上述多个太阳电池碎片之间;以及电学互联,其位于上述正面和/或背面上,将上述接缝两侧的部分电联接。
【技术特征摘要】
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