【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单晶硅太阳能电池的生产工艺。
技术介绍
选择性掺杂太阳能电池是一种有效的低成本高效率的太阳能电池。选择性掺杂太阳能电池的结构特点在于在太阳能电池的上电极覆盖区域进行重掺杂降低电池的接触电阻，同时在非电极区进行轻掺杂，提高电池的光谱响应和降低电池中光生载流子的复合。现有太阳能电池的选择性掺杂方目前进行太阳能电池选择性掺杂的方法主要有:两步扩散法、丝网印刷磷浆法、扩散掩膜法等。其中，两步扩散法是先对电极区重扩散，再对整个发射区轻扩散，其优点为制备工艺简单易行，但是，由于电极区先进行了扩散，杂质的二次分布较难控制；丝网磷浆法是用丝网在局部印刷高浓度磷浆，通过其扩散与挥发，一次扩散就能使电极区形成重掺杂，其他区域形成轻掺杂，但由于利用了局部的磷浆作为扩散源，必然导致表面扩散的不均匀性，这会降低电池的效率。扩散掩膜法就是先轻掺杂，再进行激光或者光刻掩膜，然后再对电极区进行二次重掺杂，该方法由于先进行了轻掺杂，降低了电极区进行选择性掺杂时与衬底的杂质浓度差，可以较好的控制电池的选择性掺杂区域，但需要用激光或光刻的方法，提高了成本，降低了生产效率。专利技术内...
【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池的生产工艺，包括如下步骤：步骤1、在P型单晶硅片上表面淀积二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜内含有浓度约为1e18.5/cm3的磷元素；?步骤2、对淀积后的硅片进行第一次高温扩散，使二氧化硅薄膜中的磷元素扩散入P型单晶硅片，形成PN结；步骤3、除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层；步骤4、在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层；步骤5、将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散，使非电极区掺入的磷元素扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的磷元素进一步向电极区扩散，形成电极区的重掺杂，同时非晶硅层及非电极区的硅片表面被氧化；步骤6、去除单晶硅片表面的二氧化硅；步骤7、在单...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅太阳能电池的生产工艺，包括如下步骤: 步骤1、在P型单晶硅片上表面淀积二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜内含有浓度约为lel8.5/cm3的磷元素； 步骤2、对淀积后的硅片进行第一次高温扩散，使二氧化硅薄膜中的磷元素扩散入P型单晶硅片，形成PN结； 步骤3、除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层； 步骤4、在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层； 步骤5、将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散，使非电极区掺入的磷元素扩散入非...
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