干刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种干刻蚀装置，其包括腔室及位于腔室内的基板支撑台和上部电极，所述干刻蚀装置还包括分布于基板支撑台上且彼此相互独立设置的若干冷却气道以及连通所述冷却气道的供气装置。与现有技术相比，本实用新型专利技术所述干刻蚀装置通过在基板支撑台上分布相互独立的冷却气道，由控制装置独立控制每个冷却气道的供气量，以此实现对基板不同区域的工艺温度进行独立控制，以达到调节各区域刻蚀速率的目的。

【技术实现步骤摘要】

】本技术涉及干刻蚀技术，尤其涉及一种可分区控制刻蚀速率的干刻蚀装置。【
技术介绍
】干刻蚀是显示器领域及集成电路领域中十分常用的工艺，其大致原理是通过将特定气体置于低压状态下施以电压，使其激发成电楽(Plasma)，对特定膜层表面加以离子轰击达到去除膜层的目的，从而在基板上形成需要的图形。常见的干刻设备通常包括腔室及位于腔室内的上部电极和下部电极，在干刻过程中，需要将待刻蚀的基板放置于下部电极上，由下部电极作为基板支撑台，刻蚀用的气体从基板上方通入腔室内。但是，现有干刻设备腔室内的温度、压力、功率等参数都是统一设定的，目的是为了实现对基板表面均匀刻蚀，然而，这种设备也存在一些不足之处，例如，当基板上产品种类不同时，其对基板的不同区域所要求的刻蚀速率也不尽相同，显然，现有的刻蚀设备无法有效精确控制基板上不同区域的刻蚀速率，从而无法满足特殊的应用需求。因此，确有必要提供一种新型干刻蚀装置来解决上述技术问题。【
技术实现思路
】本技术所解决的技术问题在于提供一种干刻蚀装置，以实现分区控制基板不同区域刻蚀速率的目的。为解决上述技术问题，本技术提供一种干刻蚀装置，其包括腔室及位于腔室内的基板支撑台和上部电极，所述干刻蚀装置还包括分布于基板支撑台上且彼此相互独立设置的若干冷却气道以及连通所述冷却气道的供气装置。作为本技术方案的进一步改进，所述供气装置包括气源及连接于气源和冷却气道之间的控制装置，所述控制装置内包括若干与所述冷却气道一一对应连接的控制单元。作为本技术方案的进一步改进，所述气源为氦气。作为本技术方案的进一步改进，所述控制单元为流量计，其数量与所述冷却气道的数量相同。作为本技术方案的进一步改进，所述若干冷却气道沿基板支撑台的周长方向延伸，且由外向内依次分布。作为本技术方案的进一步改进，相邻两个冷却气道构成“回”字型，且外侧的冷却气道的长度大于内侧的冷却气道的长度。作为本技术方案的进一步改进，所述外侧的冷却气道宽于所述内侧的冷却气道。作为本技术方案的进一步改进，所述基板支撑台包括与所述上部电极相对的下部电极及设置于所述下部电极上的台板，所述若干冷却气道分布于所述台板上。与现有技术相比，本技术所述干刻蚀装置通过在基板支撑台上分布相互独立的冷却气道，实现对基板不同区域的工艺温度进行独立控制，以达到调节各区域刻蚀速率的目的。【【附图说明】】图1为本技术干刻蚀装置在一种实施例中的结构示意图。图2为本技术干刻蚀装置基板支撑台与供气装置的连接示意图。图3为本技术干刻蚀装置在另一种实施例中基板支撑台的示意图。【【具体实施方式】】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1所示，本技术提供一种干刻蚀装置100，其包括腔室10、位于腔室10内的基板支撑台20和上部电极30、分布于基板支撑台20上若干冷却气道40、以及连通所述冷却气道40的供气装置。在本技术的一种实施例中，所述基板支撑台20呈矩形并设有四个侧边，且基板支撑台20位于所述基板200的正下方，所述上部电极30位于基板支撑台20的正上方并正对所述基板200，使得基板200位于上部电极30和基板支撑台20之间。如图2所示，所述若干冷却气道40分布于所述基板支撑台20的表面且彼此相互独立，其沿基板支撑台20的周长方向延伸，且直接贴于所述基板200的底面，用于对基板200底面进行冷却降温。在本技术较佳实施例中，所述若干冷却气道40的形状与基板支撑台20形状相同，均呈矩形且沿基板支撑台20的四周侧边由外向内分布，相邻两个冷却气道40构成“回”字型，其中，外侧的冷却气道40的长度大于内侧的冷却气道40的长度。如此设置，使得冷却气道40按预设的间距布满于基板支撑台20的表面，从而保障基板200的各个区域上均能受到冷却气道40的冷却作用。同时，由于所述冷却气道40是相互独立设置，因而不会相互产生影响，可根据需要控制各个冷却气道40内的气流量从而控制该冷却气道40所处位置的温度。另外，在本技术较佳实施例中，所述外侧的冷却气道宽于所述内侧的冷却气道，即外侧的冷却气道的气流通过能力更强。所述供气装置包括气源51及连接于气源51和冷却气道40之间的控制装置52。所述气源51经所述控制装置52的控制向所述冷却气道40供气，且所述气源51优选为氦气(He);所述控制装置52可以控制冷却气道40的开启或关闭，也可实现各个冷却气道40的气流量大小。在本技术一种实施例中，所述控制装置52内包括若干与所述冷却气道40—一对应连接的控制单元53，所述控制单元53优选为流量计(MFC，Mass Flow Controller)，其数量与所述冷却气道40的数量相同，每一流量计用于独立控制一路冷却气道40，各个流量计独立运行并控制各路冷却气道40，彼此互不影响，因而，在本实施例中可通过控制流量计便可实现对各路冷却气道40气流量的控制，从而实现对基板200不同区域处温度的分区控制，进而达到分区控制刻蚀速率的目的。另外，所述基板支撑台20包括下部电极21及设置于所述下部电极21上的台板22，参图1所示，本实施例中由所述台板22直接支撑所述基板200，且所述若干冷却气道40则分布于所述台板22上。当然，在另一种实施例中，所述基板支撑台20也可不包括台板22而直接由下部电极21支撑所述基板200，如图3所示，此时所述冷却气道40则直接分布于所述下部电极21表面，无论哪种方式，所述冷却气道40均能实现对基板200不同区域温度的分区控制，均属于本技术保护的范畴，在此不再赘述。可见，本技术通过在基板支撑台20上分布若干独立设置的冷却气道40，以分区域控制基板200上不同区域的工艺温度，从而控制基板200不同区域处的刻蚀速率，而且冷却气道40均由控制装置52独立控制使得工艺过程更加稳定。以上所述，仅是本技术的最佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，利用上述揭示的方法内容对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，均属于权利要求书保护的范围。【主权项】1.一种干刻蚀装置，包括腔室及位于腔室内的基板支撑台和上部电极，其特征在于，所述干刻蚀装置还包括分布于基板支撑台上且彼此相互独立设置的若干冷却气道以及连通所述冷却气道的供气装置。2.根据权利要求1所述的干刻蚀装置，其特征在于:所述供气装置包括气源及连接于所述气源和所述冷却气道之间的控制装置，所述控制装置内包括若干与所述冷却气道一一对应连接的控制单元。3.根据权利要求2所述的干刻蚀装置，其特征在于:所述气源为氦气。4.根据权利要求2所述的干刻蚀装置，其特征在于:所述控制单元为流量计，其数量与所述冷却气道的数量相同。5.根据权利要求1所述的干刻蚀装置，其特征在于:所述若干冷却气道沿基板支撑台的周长方向延伸，且由外向内依次分布。6.根据权本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干刻蚀装置，包括腔室及位于腔室内的基板支撑台和上部电极，其特征在于，所述干刻蚀装置还包括分布于基板支撑台上且彼此相互独立设置的若干冷却气道以及连通所述冷却气道的供气装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐岩，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32