等离子体处理装置以及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法，提供能够解决振荡等问题的气体供给技术。两个第一供给部(21a)以固定的第一供给量从开口部(22a)向腔室(11)内供给反应性气体。第二供给部(21b)以可变的第二供给量从开口部(22b)向腔室(11)内供给反应性气体。在等离子体处理中，利用PEM法的反馈控制调整第二供给量。这样，由于溅射装置(10)具有进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部(21b)，所以能够消除因存在多个反馈控制所引起的振荡的问题。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置以及等离子体处理方法
本专利技术涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
技术介绍
已知具有如下技术：一边向腔室内供给反应性气体一边进行溅射成膜处理(例如，专利文献1)。作为反应性气体的导入量的控制方法，已知具有如下方法：对等离子体中的反应性气体、靶材材料的元素的发光强度进行测量(监控)，并基于该测量结果控制反应性气体的导入量。这样的控制方法也称为PEM(等离子体发射监控)法或PEM控制。为了用这种溅射成膜处理在被搬运的基材的主面上进行均质的成膜，优选腔室内的反应性气体的分布沿着基材的宽度方向是均匀的。现有技术文献专利文献专利文献1：JP专利第4809613号公报作为使腔室内的反应性气体的分布沿着宽度方向变均匀的技术方案，考虑使被PEM控制的多个气体供给部沿着宽度方向连续配置的技术方案。由此，在宽度方向以规定间隔假想地被分割的各区间中，反馈控制反应性气体的供给量，这是为了期待腔室内的反应性气体的分布沿着宽度方向变均匀。然而，在该技术方案中，在相邻的气体供给部产生反馈控制的干扰，进而会引起实际的气体供给量在理想的气体供给量的前后振动的现象(振荡)，从而难以使反应性气体的分布变均匀。另外，作为一边解除振荡一边使腔室内的反应性气体的分布沿着宽度方向变均匀的技术方案，考虑只由被PEM控制的一个气体供给部向腔室内供给反应性气体的技术方案。在该技术方案中，在腔室十分小且腔室内的各部分的结构在宽度方向一侧与另一侧成为对称配置的情况下才有效。然而，在腔室大的情况或腔室内的各部分的结构在宽度方向一侧与另一侧成为非对称的配置的情况下，由一个气体供给部难以使腔室内的反应性气体的分布变均匀。特别地，近年，在考虑腔室随着基板的大型化而大型化时，只由一个气体供给部使腔室内的反应性气体的分布变均匀特别困难。这样的问题并不限定于溅射成膜处理，而是等离子体CVD处理等各种等离子体处理的共同的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于这样的问题而提出，其目的在于，提供具有能够解决振荡等问题的气体供给技术的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。本专利技术的第一技术方案的等离子体处理装置，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，具有：搬运部，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材；至少一个第一供给部，以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体；至少一个第二供给部，以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体；调整部，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量；以及等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置。本专利技术的第二技术方案的等离子体处理装置根据本专利技术的第一技术方案的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。本专利技术的第三技术方案的等离子体处理装置根据本专利技术的第一技术方案的等离子体处理装置，其特征在于，所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700mm(毫米)以上。本专利技术第四技术方案的等离子体处理装置根据本专利技术的第一技术方案的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体为氧气，在所述等离子体处理中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。本专利技术的第五技术方案的等离子体处理装置根据本专利技术的第一～第四中任一项技术方案的等离子体处理装置，其特征在于，所述调整部利用等离子体发射监控(PEM)法来调整所述第二供给量。本专利技术的第六技术方案的等离子体处理方法，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，具有：设定工序，对从至少一个第一开口部向所述处理空间供给所述气体时的第一供给量进行设定；以及等离子体处理工序，执行所述等离子体处理；所述等离子体处理工序具有：第一供给工序，至少一个第一供给部以固定的所述第一供给量从所述至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体；第二供给工序，至少一个第二供给部以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体；调整工序，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述第二供给量；等离子体生成工序，在所述处理空间内生成等离子体；以及搬运工序，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材；在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置。本专利技术的第七技术方案的等离子体处理方法根据本专利技术的第六技术方案的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。本专利技术的第八技术方案的等离子体处理方法根据本专利技术的第六技术方案的等离子体处理方法，其特征在于，所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为在700mm(毫米)以上。本专利技术的第九技术方案的等离子体处理方法根据本专利技术的第六技术方案的等离子体处理方法，其特征在于，所述气体为氧气，在所述等离子体处理工序中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。本专利技术的第十技术方案的等离子体处理方法根据本专利技术的第六～第九技术方案中任一项技术方案的等离子体处理方法，其特征在于，在所述调整工序中，利用等离子体发射监控(PEM)法来调整所述第二供给量。专利技术效果在本专利技术的第一～第十技术方案中，至少一个第一开口部与至少一个第二开口部沿着处理空间内的宽度方向交替地配置。并且，在等离子体处理中，从至少一个第二开口部以与反馈控制相应的第二供给量供给气体。在本专利技术中，由于以反馈控制的第二供给量向处理空间内供给气体的第二开口部没有相邻，所以能够消除伴随着第二开口部相邻所引起的振荡的问题。另外，在本专利技术中，由于从第一开口部以固定的第一供给量向处理空间内供给气体，因此，通过合适地设定该第一供给量，在腔室大的情况或腔室内的各部分的结构在宽度方向一侧与另一侧成为非对称的配置的情况下，也能够使腔室内的气体的分布变均匀。附图说明图1是表示溅射装置的概略结构的侧视图。图2是表示高频天线的例子的侧视图。图3是表示溅射装置的概略结构的上表面图。图4是表示处理的流程的流程图。其中，附图标记说明如下：10溅射装置19溅射气体供给部20、22a、22b开口部21反应性气体供给部21a第一供给部21b第二供给部74基板111分光器190a、190b反应性气体供给源191溅射气体供给源192流量控制器193流量控制器200控制部具体实施方式下面，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。在附图中，对于具有相同的结构及功能的部分，标注相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，具有：搬运部，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材，至少一个第一供给部，以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体，至少一个第二供给部，以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体，调整部，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量，以及等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置。

【技术特征摘要】
2014.09.30 JP 2014-2000651.一种等离子体处理装置，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，具有：搬运部，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材，至少一个第一供给部，以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体，至少一个第二供给部，以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体，调整部，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量，以及等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置，所述调整部利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700毫米以上。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体为氧气，在所述等离子体处理中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。5.一种等离子体处理方法，一边向生成等...

【专利技术属性】
技术研发人员：大泽笃史，山本悟史，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP