基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。

Substrate treatment device

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置本申请是申请日为2016年06月20日、申请号为201610444504.1、专利技术名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳能电池用基板等(下面，仅称为“基板”)的上表面周缘部进行处理的技术。
技术介绍
在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)形成至基板的端面，在大多数情况下，将器件图案形成在距离基板的端面一定宽度的内侧的上表面区域。但是，在用于形成器件图案的成膜工序中，有时膜会形成至形成器件图案的区域(下面，仅称为“器件区域”)的外侧。形成在器件区域的外侧的膜，不仅是不需要的膜，而且可能成为各种故障的原因。例如，形成在器件区域的外侧的膜，在进行处理工序的过程中剥落，从而存在使成品率降低、使基板处理装置产生故障的担忧等。因此，有时进行通过蚀刻将形成在器件区域的外侧的薄膜除去的处理(所谓的斜面蚀刻处理(beveretching))，提出了进行这样的处理的装置(例如，参照专利文献1～2)。专利文献1、2的装置，一边使基板在水平面内围绕中心轴旋转，一边从配置于基板的周缘部的上方的喷嘴朝向上表面周缘部喷出处理液，来进行上表面周缘部的处理。喷嘴具有喷出口，该喷出口从上方与基板的周缘部的旋转轨迹的一部分相向。喷嘴以使处理液与正在旋转的基板的上表面周缘部中的位于喷出口的下方的部分接触的方式，持续地喷出处理液。上表面周缘部的各部分反复通过喷嘴的下方，而且接受喷嘴每次通过时所供给的新的处理液。另外，在专利文献3～5中公开了如下内容，即，通过与基板相向的加热器对基板进行加热，并且向基板的上表面供给各种药液等处理液，来进行基板的处理。通过对基板进行加热，能够实现处理率的提高等。专利文献3的装置具有与基板的上表面的周缘部相向的加热器和与基板的下表面的周缘部相向的加热器，通过这些加热器，从上下对基板的周缘部进行加热，并且向上表面的中央部供给处理液来对整个上表面进行处理。另外，专利文献4的装置，通过与基板的整个下表面相向的加热器，对基板整体地进行加热，并且向上表面的中央部喷出处理液来对整个上表面进行处理。另外，专利文献5的装置，一边通过与基板的下表面的周缘部相向的环状的加热器，对基板的周缘部进行加热，一边向上表面的周缘部喷出处理液，来对上表面周缘部进行处理。另外，在专利文献6中公开了一种基板处理装置，具有：蚀刻液供给喷嘴，向基板上表面的周缘部中的距基板的旋转中心的距离不同的多个位置，喷出蚀刻液；和纯水供给喷嘴，向基板上表面的中央部喷出保护用的纯水。向上表面中央部喷出的纯水，随着基板的旋转而供给至整个上表面，从而冲掉向上表面中的除了周缘部之外的非处理区域飞散的蚀刻液。由此，保护非处理区域。在蚀刻液接触的位置中，蚀刻液的浓度高，从该位置向周缘侧扩散的蚀刻液，被纯水稀释而浓度变低。为了均匀地对基板的周缘部的径向距离不同的各位置进行蚀刻处理，专利文献6的装置，向基板的距旋转中心的距离不同的多个位置供给蚀刻液，从而使基板的周缘部中的蚀刻液的浓度均匀。专利文献7公开了如下的基板处理装置，即，具有：蚀刻液喷嘴，以使蚀刻液与基板的周缘部接触的方式喷出蚀刻液；冲洗液喷嘴，以使冲洗液与比蚀刻液接触的位置更靠基板的中心侧的位置的方式喷出冲洗液。该装置，首先以使蚀刻液和冲洗液接触基板中心侧的两个部位的方式，对两个喷嘴进行定位，从两个喷嘴分别喷出蚀刻液、冲洗液，从而进行蚀刻处理。然后，该装置在不变更两个喷嘴的位置的情况下，停止喷出蚀刻液且继续喷出冲洗液，从而进行冲洗处理。然后，该装置使两个喷嘴一体地朝向基板的周缘侧移动，以使冲洗液接触通过最初的蚀刻处理除去了薄膜的区域且使蚀刻液接触更靠基板的周缘侧的位置的方式，对两个喷嘴进行定位。该装置在进行定位之后，再次依次进行蚀刻处理和冲洗处理。通过第二次的冲洗处理，冲洗液接触除去了薄膜的区域，因此能够抑制因冲洗液接触薄膜而使薄膜中的金属离子流出而附着于周缘部的情况。专利文献1：日本特开2011-066194号公报专利文献2：日本特开2009-070946号公报专利文献3：日本特开2005-142290号公报专利文献4：日本特开2014-072389号公报专利文献5：日本特开2003-264168号公报专利文献6：日本特开2004-79908号公报专利文献7：日本特开2003-86567号公报但是，在专利文献1、2的装置中，在处理液残留在上表面周缘部的各部分的状态下，各部分到达喷嘴的下方。因此，从喷嘴新喷出的处理液(“新的处理液”)接触残留的处理液(“残留处理液”)而产生液体溅起。若溅起的处理液进入器件区域，则器件图案会产生缺陷。若朝向基板的上表面周缘部中的处理液的着落位置的基板旋转方向的上游侧的部分，喷出大流量的非活性气体，则能够通过非活性气体的气流吹起残留处理液而从周缘部除去。由此，能够防止残留处理液和新的处理液发生碰撞。但是，若大流量的非活性气体与残留处理液发生碰撞，则担心存在残留处理液溅起而到达器件区域。若为了抑制能够到达器件区域的液体溅起，减小非活性气体的流量，则难以从周缘部除去残留处理液。因此，担心新的处理液与残留处理液发生碰撞而产生液体溅起，溅起的处理液侵入器件区域。另外，在专利文献3～5的装置中，在基板和加热器之间存在空间，随着基板旋转，在基板的周缘部的周围存在的常温的环境气体会卷入基板和加热器之间的空间。常温的环境气体从基板的下表面对基板进行冷却，因此存在使对基板进行加热的效率降低的问题。另外，在专利文献6、7的装置中，喷出至基板的上表面周缘部的蚀刻液绕到基板的下表面，对并不是蚀刻对象的基板的下表面进行蚀刻，从而存在下表面产生损伤的问题。另外，存在如下问题，即，用于保护上表面的非处理区域的纯水、冲洗液对蚀刻液进行稀释，从而使处理效率降低。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其一个目的在于提供一种技术，能够一边抑制处理液进入基板上表面的器件区域，一边对基板的上表面周缘部进行处理。另外，本专利技术的另一目的在于提供一种技术，一边高效地对基板进行加热，一边对基板进行处理。另外，本专利技术的又一目的在于提供一种技术，能够一边向基板的处理面的周缘部喷出药液来高效地对该周缘部进行处理，一边抑制被绕到非处理面的药液对非处理面进行处理的情况。为了解决上述问题，第一方式的基板处理装置，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，设置为能够围绕规定的旋转轴旋转，旋转机构，使所述基板保持部围绕所述旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流与以所述旋转轴为中心进行旋转的所述基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置接触的方式，喷出处理液的液流，以及气体喷出部，从上方朝向所述旋转轨迹中的所述着落位置的所述基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使所述第一气流从所述第一位置朝向所述基板的周缘，并且从上方朝向所述旋转轨迹中的所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n具有：/n基板保持部，将基板保持为大致水平，设置为能够围绕规定的旋转轴旋转，/n旋转机构，使所述基板保持部围绕所述旋转轴旋转，/n药液喷嘴，以使药液与所述基板的处理面的周缘部的第一旋转轨迹中的第一位置接触的方式喷出药液，以及/n冲洗液喷嘴，以使冲洗液与所述基板的处理面的相反侧的非处理面的周缘部的第二旋转轨迹中的第二位置接触的方式喷出冲洗液；/n所述第二位置为所述第一位置的所述基板的旋转方向的上游侧的位置，所述第二位置预先设定为，在所述冲洗液沿着所述基板的周向移动到达所述第一位置的附近时，该冲洗液从所述基板的所述非处理面绕到所述基板的端面，并且几乎不绕到所述处理面的周缘部。/n

【技术特征摘要】
20150618 JP 2015-122700;20150618 JP 2015-122714;201.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持部，将基板保持为大致水平，设置为能够围绕规定的旋转轴旋转，
旋转机构，使所述基板保持部围绕所述旋转轴旋转，
药液喷嘴，以使药液与所述基板的处理面的周缘部的第一旋转轨迹中的第一位置接触的方式喷出药液，以及
冲洗液喷嘴，以使冲洗液与所述基板的处理面的相反侧的非处理面的周缘部的第二旋转轨迹中的第二位置接触的方式喷出冲洗液；
所述第二位置为所述第一位置的所述基板的旋转方向的上游侧的位置，所述第二位置预先设定为，在所述冲洗液沿着所述基板的周向移动到达所述第一位置的附近时，该冲洗液从所述基板的所述非处理面绕到所述基板的端面，并且几乎不绕到所述处理面的周缘部。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有处理面用气体喷嘴，该处理面用气体喷嘴以使非活性气体与所述第一旋转轨迹中的第三位置接触的方式喷出非活性气体，
所述第三位置沿着所述基板的周缘位于所述第一位置和所述第二位置之间。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有非处理面用气体喷嘴，该非处理面用气体喷嘴以使非活性气体与所述第二旋转轨迹中的第四位置接触的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：武明励，安藤幸嗣，前川直嗣，安武阳介，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP