热处理方法以及热处理装置制造方法及图纸

提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。

【技术实现步骤摘要】
热处理方法以及热处理装置本申请是申请号为CN201610736763.1、申请日为2016年8月26日、专利技术名称为“热处理方法以及热处理装置”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及向半导体晶片等硅或硅锗的薄板状精密电子基板(下面，简称为“基板”)照射闪光来形成硅化物或锗化物的热处理方法以及热处理装置。
技术介绍
在半导体设备的制造工艺中，在极短时间加热半导体晶片的闪光灯退火(FLA)引人注目。闪光灯退火是如下的热处理技术，即，通过使用氙气闪光灯(下面，在简称为“闪光灯”时是指氙气闪光灯)向半导体晶片的表面照射闪光，在极短时间内(几毫秒以下)仅使半导体晶片的表面升温。氙气闪光灯的辐射光谱分布从紫外区域至近红外区域，波长比以往的卤素灯的波长短，并与硅的半导体晶片的基本吸收带几乎一致。由此，在从氙气闪光灯向半导体晶片照射闪光时，透射光至少能够使半导体晶片快速地升温。另外，若在几毫秒以下的极短时间内照射闪光，则能够有选择地仅使半导体晶片的表面附近升温。这样的闪光灯退火利用于需要极短时间的加热的处理，例如，典型地利用于注入半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于，向基板照射闪光来形成接触，所述热处理方法包括：/n搬入工序，将形成有金属膜的基板搬入腔室内，/n减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，/n恢复压力工序，将所述腔室内的压力从第一压力恢复至比第一压力高的第二压力，/n照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第二压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。/n

【技术特征摘要】
20150826 JP 2015-166512;20160524 JP 2016-1035671.一种热处理方法，其特征在于，向基板照射闪光来形成接触，所述热处理方法包括：
搬入工序，将形成有金属膜的基板搬入腔室内，
减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，
恢复压力工序，将所述腔室内的压力从第一压力恢复至比第一压力高的第二压力，
照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第二压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。


2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力比所述第一压力高且比大气压低。


3.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力为大气压。


4.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力比大气压高。


5.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述减压工序中，使来自所述腔室供给的排气流量随着时间的推移而增加。


6.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述恢复压力工序中，使向所述腔室的供气流量随着时间的推移而增加。


7.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述照射工序后，将所述腔室内的压力变为大气压，并使非活性气体以50L/min至100L/min的流量流入所述腔室内。


8.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述搬入工序中，一边打开所述腔室的搬送开口部，一边向所述腔室内供给非活性气体。


9.一种热处理方法，其特征在于，向基板照射闪光来形成接触，所述热处理方法包括：
搬入工序，将形成有金属膜的基板搬入腔室内，
减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，
照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第一压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。


10.一种热处理装置，其特征在于，向...

【专利技术属性】
技术研发人员：青山敬幸，河原崎光，古川雅志，布施和彦，谷村英昭，加藤慎一，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP