等离子体刻蚀炉制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，具体涉及一种等离子体刻蚀炉。
技术介绍
现有的等离子体刻蚀炉，有的也可以放置多片晶圆，以便同时对多片晶圆进行刻蚀过程，但是现有的等离子体刻蚀炉中，多片晶圆一般都层叠放置，而反应气体的通入孔只能是偏置在炉体的一端，则如果刻蚀过程中有气体通入后，则处于后方的晶圆对气体的接触面较少，会造成反应不均匀。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种等离子体刻蚀炉。本专利技术的技术方案如下：一种等离子体刻蚀炉，包括圆柱状的炉体；所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道；所述炉体下侧开放有真空排气通道；所述炉体中固定有晶圆放置台；所述晶圆放置台为倾斜状，由炉体的气体进入通道一端到炉体的另一端，晶圆放置台的位置越来越高；晶圆放置于晶圆放置台之上；晶圆垂直于晶圆放置台的上表面，且面向圆柱状炉体的地面；炉体周围包围有两个相对的弧状射频电极；射频发生器连接于其中一个射频电极之上。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术通过改变晶圆放置台的角度，使得当晶圆放置台上放置有多个晶圆的时候，位于后方的晶圆也可以均匀接触产生等离子体的气体，使得反应更加均匀。本专利技术尤其适用于炉体较长的等离子体反应炉。附图说明图1是本专利技术的侧视图。图2是本专利技术的正视图。具体实施方式图1是本专利技术的侧视图。图2是本专利技术的正视图。如图1、图2所示，本专利技术包括圆柱状的炉体1。炉体1的一端的上侧开放有气体进入通道3。炉体1下侧开放有真空排气通道2。炉体1中固定有晶圆放置台4。晶圆放置台4为倾斜状，由炉体1的气体进入通道3一端到炉体1的另一端，晶圆放置台4的...
【技术保护点】
一种等离子体刻蚀炉，其特征在于，包括圆柱状的炉体(1)；所述炉体(1)的一端的上侧开放有气体进入通道(3)；所述炉体(1)下侧开放有真空排气通道(2)；所述炉体(1)中固定有晶圆放置台(4)；所述晶圆放置台(4)为倾斜状，由炉体(1)的气体进入通道(3)一端到炉体(1)的另一端，晶圆放置台(4)的位置越来越高；晶圆(5)放置于晶圆放置台(4)之上；晶圆(5)垂直于晶圆放置台(4)的上表面，且面向圆柱状炉体(1)的地面；炉体(1)周围包围有两个相对的弧状射频电极(6)；射频发生器(7)连接于其中一个射频电极(6)之上。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀炉，其特征在于，包括圆柱状的炉体(1)；所述炉体(1)的一端的上侧开放有气体进入通道(3)；所述炉体(1)下侧开放有真空排气通道(2)；所述炉体(1)中固定有晶圆放置台(4)；所述晶圆放置台(4)为倾斜状，由炉体(1)的气体进入通道(3)一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。