化学机械抛光终点侦测装置及方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
终点侦测方法及化学机械抛光系统的抛光方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种终点侦测方法及化学机械抛光系统的抛光方法。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的减小，如果晶片表面出现过大的起伏，那么后续的一系列的工艺对线宽的控制将会变得越来越困难。因此，在半导体工艺流程中，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization，CMP)。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。具体来说，这种抛光方法通常是将待抛光的晶圆1A由抛光头2A夹持，并将其以一定压力压于一高速旋转的抛光垫3A上，并在包含有化学抛光剂和研磨颗粒的抛光液4A的作用下通过抛光垫3A与晶片1A的相互摩擦达到平坦化的目的，如图1所示为传统的抛光机台示意图。一般来说，化学机械抛光过程中通常会用到抛光垫修整器5A来修理抛光垫3A，避免抛光垫3A上的研磨液4A硬化刮伤晶圆，另外还会有一个终点侦测装置，用于侦测...
【技术保护点】
一种终点侦测装置，其特征在于，所述终点侦测装置至少包括：用于探测晶圆抛光过程中表面温度变化的红外探测器，其中，所述晶圆至少包括基底层和位于基底层上的待抛光层，所述待抛光层与基底层具有不同的导热系数；与所述红外探测器电连接的数据处理分析系统，处理分析红外探测器输出温度的变化，获得一温度梯度随时间变化的曲线，根据该曲线判断晶圆抛光终点。
【技术特征摘要】
1.一种终点侦测方法，其特征在于，所述侦测方法至少包括步骤：1)先利用红外探测器在垂直方向上探测晶圆抛光过程中的表面温度变化；2)获取晶圆表面温度梯度随时间变化的曲线；3)最后根据所述的温度梯度随时间变化的曲线判断抛光的终点，所述温度梯度随时间变化的曲线从上升再到平稳，上升到平稳的拐点处即为抛光的终点。2.一种化学机械抛光系统的抛光方法，其特征在于，所述抛光方法至少包括：1)将抛光头置于抛光垫上，使晶圆和抛光垫相接触，其中，所述晶圆至少包括基底层和位于基底层上的待抛光层，所述待抛光层与基底层具有不同的导热系数；2)对所述晶圆进行化学机械抛光制程；3)利用红外探...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊世伟，陈枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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