一种侦测电镀洗边异常的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种侦测电镀洗边异常的装置，包括：旋转台，用于放置晶圆并带动其进行旋转；洗边装置，靠近于所述旋转台侧边设置，对晶圆边缘进行去边处理；晶圆边缘侦测装置，靠近于所述旋转台侧边设置。本实用新型专利技术提出的侦测电镀洗边异常的装置，其为一种可以对洗边过程进行实时侦测的装置，可以通过实时检测晶圆边缘反射光信号的变化，来判断洗边过程是否已经完成，从而可以用来优化制程时间，提高机台的单位产出，另外还可以避免出现洗边不充分的晶圆被流出到后续站点。

Device for detecting abnormal plating washing edge

The utility model provides a detection device of electroplating washing, edge abnormalities include: rotating table for placing a wafer and drives the rotation; washing device, close to the rotary table is arranged on the side of the edge to edge, wafer processing; wafer edge detection device, close to the rotary table is arranged on the side. The utility model provides a detection electroplating washing device side anomaly, which is a device for real-time detection of the washing process, you can change the real-time detection of the wafer edge reflected light signal, to determine whether the washing process has been completed, which can be used to optimize the process time, improve the unit output of the machine, in addition can also avoid washing while not full wafer is outflow to follow site.

【技术实现步骤摘要】
一种侦测电镀洗边异常的装置
本技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种侦测电镀洗边异常的装置。
技术介绍
在半导体集成电路制造中，各工艺过程中会因为各种原因而引入微粒或者缺陷，随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着更小的特征尺寸发展，这些微粒或者缺陷对集成电路质量的影响也日趋显著。由于工艺技术的局限，晶圆边缘往往是产生缺陷很高的区域，为避免在化学机械研磨工艺中产生剥落缺陷并造成晶圆划痕，常通过化学电镀去边工艺手段去除晶圆边缘来解决此问题。现有的半导体电镀铜工艺之后，会对硅晶圆边缘的铜薄膜进行去边工艺，避免在后续工艺中产生脱落，在晶圆表面造成刮伤。现有的铜薄膜去边工艺，由于没有及时监控其制程的手段，如果洗边发生异常，等到发现，可能已经影响了较多的晶圆。
技术实现思路
本技术提出一种侦测电镀洗边异常的装置，其为一种可以对洗边过程进行实时侦测的装置，可以通过实时检测晶圆边缘反射光信号的变化，来判断洗边过程是否已经完成，从而可以用来优化制程时间，提高机台的单位产出，另外还可以避免出现洗边不充分的晶圆被流出到后续站点。为了达到上述目的，本技术提出一种侦测电镀洗边异常的装置，包括：旋转台，用于放置晶圆并带动其进行旋转；洗边装置，靠近于所述旋转台侧边设置，对晶圆边缘进行去边处理；晶圆边缘侦测装置，靠近于所述旋转台侧边设置。进一步的，所述洗边装置包括洗边化学喷嘴，喷出液体对晶圆边缘进行去边处理。进一步的，所述洗边装置喷出硫酸和双氧水的混合液对晶圆边缘进行去边处理。进一步的，所述晶圆边缘侦测装置包括光信号发射器和光信号收集器。进一步的，所述光信号发射器为激光器，其向所述晶圆边缘表面发射激光入射光。进一步的，所述光信号收集器对晶圆边缘表面的反射光信号进行收集，根据反射光强度的变化，来判断晶圆是否已经完成洗边过程，或者洗边过程是否有异常产生。本技术提出的侦测电镀洗边异常的装置，通过实时检测晶圆边缘反射光信号的变化，来判断洗边过程是否已经完成，从而可以用来优化制程时间，提高机台的单位产出，另外还可以避免出现洗边不充分的晶圆被流出到后续站点。本技术实现了洗边制程实时监控的目的，对优化洗边制程参数提供了依据，避免洗边异常时产生严重的经济损失。附图说明图1所示为本技术较佳实施例的侦测电镀洗边异常的装置结构示意图。图2所示为本技术较佳实施例的晶圆边缘侦测装置结构示意图。具体实施方式以下结合附图给出本技术的具体实施方式，但本技术不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图1，图1所示为本技术较佳实施例的侦测电镀洗边异常的装置结构示意图。本技术提出一种侦测电镀洗边异常的装置，包括：旋转台100，用于放置晶圆200并带动其进行旋转；洗边装置300，靠近于所述旋转台100侧边设置，对晶圆边缘进行去边处理；晶圆边缘侦测装置400，靠近于所述旋转台100侧边设置。根据本技术较佳实施例，所述洗边装置300包括洗边化学喷嘴，喷出液体对晶圆边缘进行去边处理。所述洗边装置300喷出硫酸和双氧水的混合液对晶圆边缘进行去边处理。再请参考图2，图2所示为本技术较佳实施例的晶圆边缘侦测装置结构示意图。所述晶圆边缘侦测装置400包括光信号发射器410和光信号收集器420。根据本技术较佳实施例，所述光信号发射器410为激光器，其向所述晶圆边缘表面发射激光入射光。所述光信号收集器420对晶圆边缘表面的反射光信号进行收集，根据反射光强度的变化，来判断晶圆是否已经完成洗边过程，或者洗边过程是否有异常产生。晶圆边缘侦测装置的基本原理是利用不同薄膜对光的反射率不同，从而达到区分薄膜材质的目的。通过激光器激发出入射光，照在晶圆表面，收集经过晶圆反射的反射光信号的变化来判断晶圆表面薄膜材质的变化情况。下表为在波长为670nm时，半导体常见薄膜的反射率：材料反射率R(670nm)Cu0.934Ti0.456Ta0.431W0.422TiN0.306Si0.234SiO20.034其中：反射光强度(Iref)＝入射光强度(Iinc)*反射率(R)。在洗边过程中，实时的对晶圆边缘表面的反射光信号进行收集，根据反射光强度的变化，来判断晶圆是否已经完成洗边过程，或者洗边过程是否有异常产生。综上所述，本技术提出的侦测电镀洗边异常的装置，通过实时检测晶圆边缘反射光信号的变化，来判断洗边过程是否已经完成，从而可以用来优化制程时间，提高机台的单位产出，另外还可以避免出现洗边不充分的晶圆被流出到后续站点。本技术实现了洗边制程实时监控的目的，对优化洗边制程参数提供了依据，避免洗边异常时产生严重的经济损失。虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本技术。本技术所属
中具有通常知识者，在不脱离本技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侦测电镀洗边异常的装置，其特征在于，包括：旋转台，用于放置晶圆并带动其进行旋转；洗边装置，靠近于所述旋转台侧边设置，对晶圆边缘进行去边处理；晶圆边缘侦测装置，靠近于所述旋转台侧边设置。

【技术特征摘要】
1.一种侦测电镀洗边异常的装置，其特征在于，包括：旋转台，用于放置晶圆并带动其进行旋转；洗边装置，靠近于所述旋转台侧边设置，对晶圆边缘进行去边处理；晶圆边缘侦测装置，靠近于所述旋转台侧边设置。2.根据权利要求1所述的侦测电镀洗边异常的装置，其特征在于，所述洗边装置包括洗边化学喷嘴，喷出液体对晶圆边缘进行去边处理。3.根据权利要求1所述的侦测电镀洗边异常的装置，其特征在于，所述洗边装置喷出硫酸和双氧水的混合液对晶圆边缘进行去边处...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亚青，文静，张传民，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31