【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及铜化学机械研磨終点检测装置及方法，铜化学机械研磨方法。
技术介绍
化学机械研磨(CMP)的机理是被研磨晶片的表面材料与研浆发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，所述表面层通过研浆中的研磨剂以及施加在被研磨晶片上的研磨压力，在与研磨垫的相对运动中被机械地磨去。特别地，在对金属材料进行CMP时，研浆与金属表面接触并产生金属氧化物，并通过研磨去除所述金属氧化物以达到研磨的效果。 在公开号为CN1471141A的中国专利申请中公开了ー种化学机械研磨设备。如图2所示，现有的化学机械研磨设备包括一个自动旋转的研磨盘102以及ー个晶圆握把104，通常研磨盘102会被设计成ー种圆形板以方便跟安装在研磨盘102上的研磨垫106 —起旋转，提供的晶圆110会被晶圆握把104抓住，而晶圆握把104的位置是可以调节的，晶圆握把104可以施カ在晶圆110上，在研磨期间，晶圆握把104会确定晶圆110有接触到研磨垫106。在研磨盘102上方放置有一个研浆供应路线108，可以提供研磨用的研浆112，所述研浆112包含反应物和研磨剂，反应物用于与被研磨晶圆...
【技术保护点】
一种铜化学机械研磨终点检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有待研磨结构，所述结构的材料含有铜；对所述待研磨结构进行化学机械研磨，并产生研磨副产品；其特征在于，还包括：混合所述研磨副产品与显色剂，并测量所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度；根据所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度计算所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中铜的含量，并通过所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中铜的含量检测是否到达研磨终点。
【技术特征摘要】
1.ー种铜化学机械研磨終点检测方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有待研磨结构，所述结构的材料含有铜；对所述待研磨结构进行化学机械研磨，并产生研磨副产品；其特征在于，还包括 混合所述研磨副产品与显色剂，并测量所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度； 根据所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度计算所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中铜的含量，并通过所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中铜的含量检测是否到达研磨終点。2.依据权利要求I所述的铜化学机械研磨終点检测方法，其特征在于，所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度指的是所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物在入射光波长为607nm和548nm时的吸光度。3.依据权利要求2所述的铜化学机械研磨終点检测方法，其特征在于，根据所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物的吸光度计算所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中铜的含量的方法包括 在研磨所使用的研浆确定的情况下，计算吸光度之比的差AAr, 所述AAr = A6ci7mZA548nm-A^ci7miZf548nm，其中，A6tl7nm和A548nm分别是所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物在入射光波长为607nm和548nm时的吸光度，A*6(l7nm和A*548nm是研浆与显色剂的混合物在入射光波长为607nm和548nm时的吸光度； 根据AAr = PXCm+Q计算所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中的铜的含量，其中，P、Q是回归常数，Cffl是所述研磨副产品与研浆以及显色剂的混合物中的铜的含量。4.依据权利要求2所述的铜化学机械研磨終点检测方法，其特征在于，所述研浆供应路线所提供的研磨所需要的研衆以及显色剂中，显色剂的浓度是0. 002mmol/L-0. 004mmol/し5.依据权利要求I至4中任意ー项所述的铜化学机械研磨終点检测方法，其特征在于所述显色剂是ニ溴茜素紫。6.ー种铜化学机械研磨終点检测装置，包括研磨盘；安装在所述研磨盘上的研磨垫；与所述研磨垫相对设置的晶圆握把、所述晶圆握把固定半导体衬底，所述半导体衬底表面具有待研磨的结构，所述结构的材料包括铜...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓武锋，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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