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本发明涉及半导体制造领域，具体来说是一种可避免空洞的电镀铜的方法。包括以下步骤：在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；在所述沟槽的表面以及晶圆的上表面添加添加剂；使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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