硅中介层制作方法技术

本发明专利技术涉及一种硅中介层制作方法，包括以下步骤：步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作硅中介元件；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处理；步骤六，硅中介层与载片分离。本发明专利技术的有益效果是工艺过程简单，提高可硅材料的利用率，缩短了制作硅介质层时间同时提高了产品良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作工艺，尤其涉及一种硅中介层的制作方法。
技术介绍
晶圆芯片与印刷电路板之间的过渡层称为硅中介层。由于半导体芯片的设计和制造技术变得越来越复杂，硅中介层被广泛应用于从芯片的键合焊盘传输信号。硅中介层的最终厚度必须保证在10微米至100微米之间，以使得最终封装尺寸尽可能的薄。因而硅中介层需要进行减薄工艺处理，在减薄过程中会产生晶圆局部或整体厚度不均，晶圆边缘损伤，热应力等问题，导致产品良品率降低。晶圆减薄目前采用研磨、化学机械研磨(CMP)JM法刻蚀等工艺。这些工艺均要消耗大量的背部基底材料，往往导致许多问题的产生，例如，工艺时间长，晶圆破片的机率高等。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种工艺简单，操作时间短，产品良率高的硅中阶层制作方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种，包括以下步骤:步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作金属线和与金属线连接的通孔；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处理，直到露出金属线；步骤六，硅中介层与载片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅中介层制作方法，包括以下步骤：步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作金属线和与金属线连接的通孔；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处理,直到露出金属线；步骤六，硅中介层与载片分离。

【技术特征摘要】
1.一种硅中介层制作方法，包括以下步骤: 步骤一，在基底上划分出硅中介层区域； 步骤二，在硅中介层中制作金属线和与金属线连接的通孔； 步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间； 步骤四，将硅中介层从基底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：