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本发明涉及一种硅中介层制作方法，包括以下步骤：步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作硅中介元件；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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