用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜制造技术

本发明专利技术提供一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。根据本发明专利技术，在形成用于填充互连金属的通孔时，蚀刻所述金属硬掩膜层之后，所留下的所述金属硬掩膜层呈T型，从而可以更好地控制后续自对准通孔的形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制作方法。
技术介绍
在金属互连工艺中，需要形成沟槽和通孔，用于填充互连金属。由于光刻分辨率的限制，在形成所述通孔时，可以采用自对准通孔(SAV)工艺来扩大光刻的工艺窗口。如图1A所示，在自对准通孔工艺中，通常使用金属硬掩膜层103作为形成自对准通孔104时的蚀刻停止层，所述金属硬掩膜层103的材料通常为TiN，所述自对准通孔104位于形成于金属导线层101上的低k介电层102中；所形成的用于填充互连金属的通孔105如图1B所示，以同金属导线层101形成接触。所述金属硬掩膜层103的材料TiN对于作为所述低k介电层102材料的氧化物而言，具有很高的蚀刻选择比，从而可以很好地控制用于填充互连金属的通孔105的形成。但是，由于形成的所述TiN的厚度很薄，在蚀刻所述TiN下方的低k介电层时，所述TiN的边缘也会被蚀刻掉，进而影响形成的所述通孔105的特征尺寸，如图1C所示。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。

【技术特征摘要】
1.一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层； 在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率； 蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜层的材料为Al，所述第二金属硬掩膜层的材料为TiN。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜层的材料为掺杂的TiN，所述第二金属硬掩膜层的材料为TiN。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用离子注入工艺实施所述掺杂。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掺杂的元素为碳或铜。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属硬掩膜层的厚度为所述T形金属硬掩膜层的厚度的三分之一至二分之一。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属硬掩膜层与所述第一金属硬掩膜层的厚度总和为100-500埃。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王新鹏，王冬江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：