连接孔形成方法技术

本发明专利技术提供了一种连接孔形成方法，将现有的圆形连接孔改为矩形连接孔，即使在定义连接孔位置的图案化光刻胶开口位置与沟槽位置未对准的情况下，也能得到完整的矩形连接孔形状且准确对准沟槽的位置；作为优选的技术手段，定义连接孔位置的图案化光刻胶矩形开口关键尺寸大于沟槽的关键尺寸，在进行连接孔刻蚀时，由于金属硬掩膜的阻挡，沟槽的关键尺寸是由图案化的金属硬掩膜开口宽度定义的，所以，连接孔关键尺寸可等于沟槽的关键尺寸，保证了连接孔的关键尺寸，稳定了集成电路的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
当今半导体器件制造技术飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构，集成电路中包含大量的半导体元件。在如此大规模集成电路中，元件之间的高性能、高密度的连接不仅在单个互连层中互连，而且要在多层之间进行互连。因此，通常提供多层互连结构，其中多个互连层互相堆叠，并且层间绝缘膜置于其间，用于连接半导体元件。常规的方法一般是利用大马士革双镶嵌工艺在层间绝缘层中形成连接孔(via)和沟槽(trench)，然后用导电材料例如铜(Cu)填充所述沟槽和连接孔。这种互连结构已经在集成电路制造中得到广泛应用。如图1a Id所示的利用大马士革工艺制造连接孔的方法流程，包括如下步骤:在半导体器件如MOS晶体管(未示出)表面沉积层间介质层ILD11，并在ILD层11中刻蚀通孔并填充有金属材料形成连接孔12，金属材料优选为铜Cu ;在ILD层11上沉积刻蚀停止层13,刻蚀停止层13优选使用NBLoK(Nitrided Barrier Low K,低介电常数氮化物阻挡层)材料；接着在刻蚀停止层13上依次沉积电介质层14、金属硬掩膜层16，其中，优选在电介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接孔形成方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底具有预先形成的半导体器件；在所述衬底上形成覆盖半导体器件的层间介质层，并在所述层间介质层中刻蚀通孔并填充有金属材料形成第一连接孔；在所述层间介质层上依次沉积刻蚀停止层、电介质层、金属硬掩膜层、第一底部抗反射层及第一光刻胶；图案化所述第一光刻胶，以所述图案化的第一光刻胶作为掩膜刻蚀所述金属硬掩膜层形成图案化的金属硬掩膜并定义沟槽位置，去除第一光刻胶及第一底部抗反射层；在所述图案化的金属硬掩膜上沉积第二底部抗反射层和第二光刻胶；图案化所述第二光刻胶，并以所述图案化的第二光刻胶作为掩膜刻蚀形成第二连接孔，去除第二光刻胶及第二底部抗反射层；其特征在于，...

【技术特征摘要】
1.一种连接孔形成方法，包括: 提供半导体衬底，所述衬底具有预先形成的半导体器件； 在所述衬底上形成覆盖半导体器件的层间介质层，并在所述层间介质层中刻蚀通孔并填充有金属材料形成第一连接孔； 在所述层间介质层上依次沉积刻蚀停止层、电介质层、金属硬掩膜层、第一底部抗反射层及第一光刻胶； 图案化所述第一光刻胶，以所述图案化的第一光刻胶作为掩膜刻蚀所述金属硬掩膜层形成图案化的金属硬掩膜并定义沟槽位置，去除第一光刻胶及第一底部抗反射层； 在所述图案化的金属硬掩膜上沉积第二底部抗反射层和第二光刻胶； 图案化所述第二光刻胶，并以所述图案化的第二光刻胶作为掩膜刻蚀形成第二连接孔，去除第二光刻胶及第二底部抗反射层； 其特征在于，所述第二连接孔为矩形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的第二光刻胶具有定义所述第二连接孔形状和位置的矩形开口。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：