应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构技术

制造半导体结构的方法，包括在通路凹槽（112）之内设置牺牲材料（132），在半导体结构中形成穿过晶片互连的第一部分（174），以及用导电材料代替牺牲材料，从而形成穿过晶片互连的第二部分（212）。通过该方法形成半导体结构。例如，半导体结构可以包括在通路凹槽之内的牺牲材料，和对准所述通路凹槽的穿过晶片互连的第一部分。半导体结构包括由两个或更多个部分组成的穿过晶片互连，所述两个或更多个部分在各部分之间具有边界。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术基本涉及形成包括穿过晶片互连(through wafer interconnect)的半导体结构的方法，并且涉及通过该方法形成的半导体结构。
技术介绍
半导体结构包括采用半导体材料的器件(也即，半导体器件)，比如电子信号处理器、存储器、光电器件(例如，发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池等)、微米器件和纳米器件等，并且半导体结构在此类器件的制造过程中得以形成。在此类半导体结构中，将一个半导体结构电联接和/或在结构上联接到另一个器件或结构(例如，另一个半导体结构)通常是必须的或可取的。该过程(其中将半导体结构联接到另一个器件或结构)通常被称为三维(3D)集成过程。两个或更多的半导体结构的3D集成可以对微电子应用产生很多好处。例如，微电子组件的3D集成可以引起改进的电气性能和降低功耗，同时减小了器件的脚印(footprint)的区域。例如，参见P.Garrou等人的“The Handbook of3D Integration”,Wiley-VCH(2008)。半导体结构的3D集成可以通过半导体芯片到一个或更多个另外的半导体芯片(也即，芯片到芯片(D2D))的附接、半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.23 FR 1057676;2010.09.10 US 12/879,6371.一种制造半导体结构的方法，包括: 在延伸且部分地穿过半导体结构的至少一个通路凹槽之内设置牺牲材料； 在所述半导体结构中形成至少一个穿过晶片互连的第一部分，并使所述至少一个穿过晶片互连的第一部分对准所述至少一个通路凹槽；以及 用导电材料代替在所述至少一个通路凹槽之内的所述牺牲材料，并且形成与所述至少一个穿过晶片互连的第一部分电气接触的至少一个穿过晶片互连的第二部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体结构中形成至少一个穿过晶片互连的第一部分进一步包括，使所述至少一个穿过晶片互连的第一部分延伸且穿过介质材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中在延伸且部分地穿过所述半导体结构的所述至少一个通路凹槽之内设置所述牺牲材料包括: 形成至少一个封闭通路凹槽，所述至少一个封闭通路凹槽从半导体结构的表面延伸且部分地穿过所述半导体结构；以及 在所述至少一个封闭通路凹槽之内，设置多晶硅材料、锗化硅(SiGe)、第三至第五族半导体材料以及介质材料中的至少一种。4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述至少一个封闭通路凹槽之内设置多晶硅材料、锗化硅(SiGe)、第三至第五族半导体材料以及介质材料中的至少一种，包括在所述至少一个封闭通路凹槽之内设置多晶硅材料。5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括穿过体态硅材料形成所述至少一个通路凹槽。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括，在所述至少一个封闭通路凹槽之内，在所述体态硅材料和多晶硅材料之间设置介质材料。7.根据权利要求3所述的方法，进一步包括，在所述至少一个封闭通路凹槽之内设置所述多晶硅材料之后，在遍于所述半导体结构的表面之上设置半导体材料薄层。8.根据权利要求7所述的方法，其中在遍于所述半导体结构的表面之上设置所述半导体材料薄层包括: 将离子注入到衬底中，所述衬底包括半导体材料以在所述衬底中形成断裂面； 将所述衬底键合到所述半导体结构的表面；以及 将所述衬底沿着所述断裂面断裂并且从所述衬底的剩余部分中分离所述半导体材料薄层，所述半导体材料薄层保持键合到所述半导体结构的表面。9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述衬底键合到所述半导体结构的表面包括将所述衬底直接键合到所述半导体结构的表面。10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括应用所述半导体材料薄层来形成至少一部分的器件结构。11.根据权利要求10所述的方法，其中，应用所述半导体材料薄层来形成所述至少一部分的器件结构包括，应用所述半导体材料薄层来形成至少一部分的晶体管。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：M·佐高，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：
国别省市：