下载应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构的技术资料

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制造半导体结构的方法,包括在通路凹槽(112)之内设置牺牲材料(132),在半导体结构中形成穿过晶片互连的第一部分(174),以及用导电材料代替牺牲材料,从而形成穿过晶片互连的第二部分(212)。通过该方法形成半导体结构。例如,半导体结构可...
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