专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
SOITEC公司
>
应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构技术
>技术资料下载
下载应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构的技术资料
文档序号:8659859
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
制造半导体结构的方法,包括在通路凹槽(112)之内设置牺牲材料(132),在半导体结构中形成穿过晶片互连的第一部分(174),以及用导电材料代替牺牲材料,从而形成穿过晶片互连的第二部分(212)。通过该方法形成半导体结构。例如,半导体结构可...
该专利属于SOITEC公司所有,仅供学习研究参考,未经过SOITEC公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。