CMOS形成方法技术

一种CMOS形成方法，包括：在所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐平的介质层；所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；形成覆盖所述第一区域的第一金属层表面的隔离层；在所述第一区域的隔离层表面和第二区域的第一金属层表面形成第二金属层；采用退火工艺在所述第一多晶硅层内形成第一金属硅化物层，在所述第二多晶硅层内形成第二金属硅化物层。本实施例不需要多步沉积和刻蚀，节约了工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种CMOS形成方法。
技术介绍
互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管是现代逻辑电路中的基本单元，其中包含PMOS与NM0S，而每一个PMOS (NMOS)晶体管都位于掺杂阱上，且都由栅极(Gate)两侧衬底中P型(η型)极/漏极区以及源极区与漏极区间的通道(Channel)构成。随着CMOS技术的不断进步，金属栅电极技术应用于CMOS制造以克服掺杂多晶硅产生的负面影响，所述负面影响包括:栅电极的损耗、高阻抗、以及栅电极与高k值栅电介质的不相容性。由于每种金属应于在MOS器件中都会有独特的功函数，所述功函数是影响器件阈值电压的关键材料参数。所述功函数是指将固相原子中电子从费米能级移动到价带所需的能级。理想地，在NMOS区域中金属栅的费米能级值在娃的导带附近,而在PMOS区域中的金属栅的费米能级值在硅的价带附近。因此，现有技术通常使用含有不同金属的双金属栅极。但是，双金属栅极需要对NMOS和PMOS采用不同的金属，工艺复杂，为此，在公开号为CN 10149654A的中国专利文件中，披露一种全硅化栅电极形成方法，该方法采用不同的硅化物相态以控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与第一区域相对的第二区域；在所述第一区域和第二区域的所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐平的介质层；所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；形成覆盖所述第一区域的第一金属层表面的隔离层；在所述第一区域的隔离层表面和第二区域的第一金属层表面形成第二金属层；采用退火工艺在所述第一多晶硅层内形成第一金属硅化物层，在所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与第一区域相对的第二区域； 在所述第一区域和第二区域的所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐平的介质层； 所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶娃层; 形成覆盖所述第一区域的第一金属层表面的隔离层； 在所述第一区域的隔离层表面和第二区域的第一金属层表面形成第二金属层； 采用退火工艺在所述第一多晶硅层内形成第一金属硅化物层，在所述第二多晶硅层内形成第二金属娃化物层。2.按权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层的金属摩尔百分比小于第二金属硅化物层的金属摩尔百分比。3.按权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属层材料为镍、钴、钛、或钼。4.按权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属层厚度为400埃至800 埃。5.按权利要求3所述的 CMOS形成方法,其特征在于,所述第二金属层材料与第一金属层材料相同。6.按权利要求5所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二金属层材...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：