一种用于在单纳米线上制备电极的方法技术

本发明专利技术公开一种用于在单纳米线上制备电极的方法，该方法用来在纳米线的特定位置上制备电极实现电接触，主要通过纳米线的转移、分散，电子束光刻套刻和纳米薄膜沉积等微纳米制造工艺实现，本发明专利技术方法的主要特点是使用Al薄膜作为电子束光刻的导电层和纳米线的保护层以及剥离工艺的底切层，使用该方法能够显著提高电极与纳米线的对准精度和制备成功率，该方法可用于制备单纳米线太阳能电池、光电探测器、发光二极管、激光器以及传感器等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米光电子学、微纳传感技术、微电子学和微纳加工以及一维纳米材料的合成和制备等前沿研究领域，具体涉及。
技术介绍
纳米线是径向尺寸为纳米级，而长度方向没有限制的一维纳米结构。作为一种重要的纳米材料，从发现到现在虽然只有不到二十年的时间，但由于其在生化、力学、电磁、以及光电子方面所表现出的特殊性能，而在各领域得到了广泛关注。2001年，((Nature))杂志报道了美国加州伯克利大学杨培东小组研制出世界上最小的，基于ZnO纳米线的室温紫外激光器，表现出了良好的激光性能。2006年《Science》杂志报道了美国佐治亚理工学院的王中林教授利用ZnO纳米线的压电效应专利技术的纳米发电机，能够将周围的一些微小振动转化为电能，为能源系统微型化和一些无源纳米器件的应用提供了理想的电源系统。2009年《Nature》杂质报道了美国的Lieber教授小组专利技术的纳米线处理器，该处理器基于Ge/Si纳米线FET，并实现了集成电路中的加法器、减法器、乘法器、除法器和D触发器的功能。纳米线器件具有如此多优异的性能，但是要实现纳米线电接触存在诸多难题，这不但制约了对其性能的进一步研究发掘，也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：该制备电极的方法包括以下步骤：将纳米线分散在绝缘基底上，然后在绝缘基底上覆盖一层纳米级的Al薄膜作为导电层和纳米线的覆盖层，然后在Al薄膜上旋涂电子束光刻胶，根据绝缘基底上纳米线的位置对旋涂的电子束光刻胶进行光刻显影、坚膜得到电极的光刻胶图案，然后湿法刻蚀Al薄膜形成底切窗口，然后沉积金属并对沉积在电子束光刻胶上的金属进行剥离，然后腐蚀去除Al薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于:该制备电极的方法包括以下步骤:将纳米线分散在绝缘基底上，然后在绝缘基底上覆盖一层纳米级的Al薄膜作为导电层和纳米线的覆盖层，然后在Al薄膜上旋涂电子束光刻胶，根据绝缘基底上纳米线的位置对旋涂的电子束光刻胶进行光刻显影、坚膜得到电极的光刻胶图案，然后湿法刻蚀Al薄膜形成底切窗口，然后沉积金属并对沉积在电子束光刻胶上的金属进行剥离，然后腐蚀去除Al薄膜。2.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于:将纳米线超声分散在溶剂中得悬浊液，将悬浊液滴加至绝缘基底上，然后将绝缘基底上的溶剂通过烘烤蒸干，使纳米线分散在绝缘基底上。3.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于:所述Al薄膜采用溅射沉积获得，厚度为150-500纳米。4.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于:所述坚膜在热板上进行，热板温度为100-110°C，坚膜时间为10-25分钟。5.根据权利要求1所述一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于:所述湿法刻蚀Al薄膜使用的刻蚀液为0.05-0.3mol/L的四甲基氢氧化铵水溶液，刻蚀时间为60-300秒...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨树明，李磊，韩枫，胡庆杰，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：