一种晶圆背面减薄方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆背面减薄方法，特别涉及一种两步式湿蚀刻的晶圆背面减薄方法，具体包括步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻，强酸采用氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟；步骤二：使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出，选择性酸采用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟，而对露出的外延层湿蚀刻速率为0.04-0.06微米/分钟。本发明专利技术通过两步湿蚀刻方法完成厚度约为2um、且厚度差异小于0.1微米的超薄且均匀晶圆的制备，成本较低，有较好的经济效益和性能，且不需要氧化层，速度更快，微粒较少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆背面减薄方法，特别涉及一种两步式湿蚀刻的晶圆背面减薄方法。
技术介绍
晶背的减薄技术在智能卡等方面应用广泛；传统的减薄技术难以满足超薄厚度，以及好的平整度和精确厚度控制等要求。传统的减薄技术包括以下几种:机械研磨:难以达到减薄至20um的效果，且晶圆背面表面有划痕；化学机械研磨:减薄速率较慢，且需要晶圆为绝缘衬底上的硅晶圆，以绝缘衬底上的硅的氧化层作为停止层，成本较高；干法蚀刻:蚀刻速率较慢，且同样需要晶圆为绝缘衬底上的硅晶圆，成本较高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供晶圆背面减薄方法，通过两步湿蚀刻方法完成超薄且均匀晶圆的制备，成本较低，有较好的经济效益和性能，且不需要氧化层，速度更快，微粒较少。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，其特征在于包括以下步骤:步骤一:使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻；步骤二:使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进:进一步，所述步骤一中所述的强酸为氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物。进一步，所述步骤一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆背面减薄方法，其特征在于包括以下步骤，步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻；步骤二：使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面减薄方法，其特征在于包括以下步骤， 步骤一:使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻； 步骤二:使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出。2.根据权利要求1所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤一中所述的强酸为氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物。3.根据权利要求1或2所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤一中使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：