间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法技术

本发明专利技术公开了间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，包括多个堆叠的晶粒，其放置在基板上，多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜，多个堆叠的晶粒之间贴有FOW胶膜，多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜，间隔层使用在贴有DAF胶膜的晶粒上，所述间隔层取代FOW胶包括三个流程，其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片；通过上述技术方案，增加间隔层，降低封装成本和封装工艺难度，且间隔层所用DAF膜比FOW膜硬，使得划片方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路封装
，公开了间隔层在堆叠晶粒封装中的应用方法。
技术介绍
在集成电路封装中，堆叠封装是IC封装非常常用的一种封装形式，可以使同种晶粒(die)的堆叠，也可以是不同晶粒(die)的堆叠，在堆叠设计时要避免下层金线与上层晶粒(die)接触通常采用FOW胶膜(film over wire)这种比较贵的胶膜，FOW胶膜在晶圆减薄后，贴在晶圆背面，划片时，将晶圆和FOW胶膜一起切开，其特性加热固化前非常软，固晶时，直接将贴有FOW胶膜的晶粒(die)压在下层已焊线的晶圆(die)上，下层的金线就陷入FOW胶膜里面。而且价格不菲的FOW胶膜对工艺条件要求也很高，由于其非常软，在划片时容易产生胶丝，容易粘刀将刀上的钻石颗粒包裹失去切削能力，这样的刀切出来的晶圆会有崩缺造成电性失效，另外，切割时产生的胶丝比较多有些会粘到晶圆正面的bond pad(焊线盘)上造成焊线问题，其对die bond(固晶)制程条件要求也比较严格，die bond(固晶)的压力和压力的均匀性要足以使下层晶圆(die)上的金线完全陷进上层晶粒(die)下面贴覆的FOW胶膜里面，同时还要保证上层晶圆(die)的水平度。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有技术FOW胶膜用料昂贵，工艺条件要求高的问题，本专利技术提供了通过增加间隔层降低封装成本和封装工艺难度，且间隔层所用DAF胶层硬度高于FOW胶层，使得划片方便的应用方法。本专利技术的具体技术方案为：间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，包括多个堆叠的晶粒，其放置在基板上，所述多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜，所述多个堆叠的晶粒之间贴有FOW胶膜，所述多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜，间隔层使用在贴有DAF胶膜的硅晶圆上，所述间隔层取代FOW胶膜三个流程，其依次为晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片；其具体包括六个步骤：步骤一、准备间隔层：即纯硅晶圆减薄到所需厚度，背面贴DAF胶膜，经划片制程切成所需大小的方块；步骤二、在基板上先贴第一层产品晶粒；步骤三、将间隔层贴在第一层晶粒上；步骤四、将步骤三完成的材料烘烤后，对第一层硅晶粒焊线；步骤五、将步骤四完成材料，返回固晶工序贴第二层晶粒；步骤六、将步骤四完成材料烘烤后，对第二层晶粒焊线，堆叠完成。本专利技术的技术效果：本专利技术的间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，通过增加间隔层，降低封装成本和封装工艺难度，且间隔层所用DAF胶膜比FOW胶膜硬，使得划片方便。附图说明图1是本专利技术实施例的FOW胶膜叠加两个晶粒方式截面的横截面示意图。图2是本专利技术实施例的间隔层叠加两个晶圆方式截面示意图。图3是本专利技术实施例的FOW堆叠流程示意图。图4是本专利技术实施例的间隔层堆叠流程示意图。图5是本专利技术实施例的步骤一示意图。图6是本专利技术实施例的步骤二示意图。图7是本专利技术实施例的步骤三示意图。图8是本专利技术实施例的步骤四示意图。图9是本专利技术实施例的步骤五示意图。图10是本专利技术实施例的步骤六示意图。图11是本专利技术实施例运用在其它结构中的示意图。图中，晶粒1，第一晶粒2，第二晶粒20，FOW胶膜3，DAF胶膜4，间隔层5，基板6，金线线弧7，划片后的硅晶圆8。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。如图1和图2所示，使用间隔层5取代FOW胶膜6，间隔层5使用贴DAF胶膜4的硅晶圆8，比如75um厚的FOW胶膜层可以使用50um厚背面贴10um厚的DAF胶膜4的硅晶粒取代，这样增加间隔层的减薄，划片和固晶(die bond)工序，但是，其取代了FOW胶膜，降低了工艺难度。如图1所示，使用75um厚的FOW胶膜，第一晶粒2的焊接的金线线弧7可以陷入FOW胶膜6；如图2使用间隔层5，焊线边比第一晶圆，第二晶圆短最多为250um，给第一晶圆和第二晶圆之间撑起一个空间，第二晶粒在作业时，不会压到第一晶圆的金线线弧7。如图3和图4所示，包括晶圆，烘烤，晶圆焊线，晶圆，烘烤，晶圆焊线，注塑，所述晶圆背面贴有FOW贴膜，其放置在基板上，所述间隔层取代FOW胶膜三个流程，其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片；如图5至图10所示，间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法具体的实施步骤如下：步骤一、准备间隔层：即硅晶圆减薄到所需厚度，背面贴DAF胶膜，然后经划片制程切成所需大小的方块(如图一)；步骤二、基板上先贴第一层产品晶粒(如图二)；步骤三、将间隔层贴在第一层晶粒上(如图三)；步骤四、将第三步完成的材料烘烤后，对第一层晶粒焊线(如图四)；步骤五、将步骤四完成材料返回固晶工序，贴第二层晶粒(如图五)；步骤六、将步骤四完成材料烘烤后，对第二层晶圆焊线，堆叠完成(如图六)。如图11所示，多个晶圆的堆叠，除了从上到下的整齐的叠加方式外，还可以使用其它的叠加方式，如来回阶梯堆叠。本专利技术的间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，，通过增加Spacer降低封装成本和封装工艺难度，而且间隔层所用DAF硬度比FOW胶层强，使得划片方便。需要指出的是，上述较佳实施例仅为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，包括多个堆叠的晶粒，其放置在基板上，所述多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜，所述多个堆叠的晶粒之间贴有一层有FOW胶膜，其特征在于：所述多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜，间隔层使用在贴有DAF胶膜的晶圆上，所述间隔层取代FOW胶膜三个流程，其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片；其具体包括六个步骤：步骤一、准备间隔层：即硅晶圆减薄到所需厚度，背面贴DAF胶膜，经划片制程切成所需大小的方块；步骤二、在基板上先贴第一层产品晶粒；步骤三、将间隔层贴在第一层晶圆上；步骤四、将步骤三完成的材料烘烤后，对第一层晶粒焊线；步骤五、将步骤四完成材料，返回固晶工序贴第二层晶粒；步骤六、将步骤四完成材料烘烤后，对第二层硅晶粒焊线，堆叠完成。

【技术特征摘要】
1.间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法，包括多个堆叠的晶粒，其放置在基板上，所述多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜，所述多个堆叠的晶粒之间贴有一层有FOW胶膜，其特征在于：所述多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜，间隔层使用在贴有DAF胶膜的晶圆上，所述间隔层取代FOW胶膜三个流程，其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片；其具体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：凡会建，李文化，彭志文，
申请(专利权)人：特科芯有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32