晶圆背面印胶的封装方法技术

本发明专利技术公开了晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，对整片晶圆执行减薄、刷胶、贴蓝膜、切割、上片、烘烤工艺，其包括：晶圆背面减薄、晶圆背面刷硅胶、晶圆背面贴蓝膜、晶圆切割、上片、烘烤；上述技术方案是将背面刷胶再贴蓝膜的晶圆切割为单颗晶圆颗粒，改变晶圆对DAF膜的依赖，极大降低固晶直接材料成本；避免点胶工艺不均匀造成的胶层空洞，提高封装工艺可靠性，同时提高固晶后芯片平整度，有利于焊线制程稳定，在不增加工艺复杂的情况下同，降低成本，改善晶圆和基板结合品质。

Packaging method for wafer back printing

The invention discloses a wafer packaging method, printed on the back glue layer and the substrate, including a wafer, to perform the whole wafer thinning, brushing glue, paste, blue film, cutting film, baking process, including: wafer back thinning wafer, brush the back of silica gel, the back side of the wafer with blue film, crystal cutting and, baking; the technical scheme is on the back of brush glue paste blue film wafer cutting for the single wafer wafer depends on DAF particles, change of membrane, greatly reducing the solid crystal materials cost; avoid dispensing process caused by uneven layer voids, improve packaging technology and improve the reliability of solid crystal the chip formation, is conducive to the welding process stability, no increase in complicated condition, reduce the cost, improve the quality of the wafer and the substrate binding.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了集成电路封装
，特别公开了晶圆背面印胶的封装方法。
技术介绍
当前，集成电路封装中，常规IC，即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法，将元器件组合成完整的电子电路。由于工艺的不同，集成电路封装的方式也有很多种，其中封装工艺中的固晶工艺所用粘贴方式包括两种：一种工艺是利用晶圆背面贴覆的DAF膜(DieAttachFilm)，通过DAF膜加热，使晶圆和基板粘合(如图1所示)，把晶圆固定在基板上；而另一种工艺是使用胶水，一般是银胶或红胶在基板上先点胶，也就是把胶水，通常是添加银粒子的白色胶水或不添加银离子的红色胶水，通过胶管挤在基板上，然后再将晶圆(die)压放在胶层上，让晶圆(die)和基板结合(如图2所示)。其中，第一种工艺中所用的DAF膜因制作工艺复杂和原材料昂贵，价格居高不下。第二种工艺中所用的点胶工艺不能保证胶层均匀容易产生空洞，尤其对于大的芯片，空洞产生的几率更高，空洞面积也更大，给后续的制程造成干扰，给产品的品质稳定系造成极大的风险，所以有待推陈出新。
技术实现思路
为了解决现有技术中制作工艺复杂和原材料昂贵，价格居高不下的问题，本专利技术公开了一种降低材料成本而又克服点胶所产生的问题，通过在晶圆的背面刷硅胶，使其与基板结合紧密的一种晶圆背面印胶的封装方法。本专利技术公开了晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，所述晶圆为整片晶圆，所述胶层为硅胶层，对所述整片晶圆执行减薄工艺、刷胶工艺、贴蓝膜工艺、切割工艺、上片工艺、烘烤工艺，其包括：步骤一、减薄工艺：晶圆背面减薄，将晶圆背面朝上，用磨轮把晶圆进行磨平、减薄，将减薄后的整片晶圆置于陶瓷真空吸附平台上；步骤二、刷胶工艺：晶圆背面刷硅胶，将丝网钢板覆盖在整片晶圆的背面，丝网钢板和整片晶圆进行对位放置，在丝网钢板上涂上硅胶，用刮刀将丝网钢板上的硅胶均匀的印到整片晶圆背面；步骤三、贴蓝膜工艺：晶圆背面贴蓝膜，进行封装工艺中的晶圆贴片制程，在整片晶圆背面的硅胶上面贴加蓝膜，将其边缘贴在铁环上；步骤四、切割工艺：晶圆切割，将整片晶圆和覆盖其背面的硅胶膜放在切割机上一起切割，切割后成为背面有硅胶膜的单颗晶圆颗粒，单颗晶圆颗粒的背面就形成一层均匀的硅胶膜；步骤五、上片工艺：把切割好的单颗晶圆颗粒通过固晶工艺，固定在基板上；步骤六、烘烤工艺：使单颗晶圆颗粒和基板之间进一步固化。作为本专利技术进一步限制地，减薄工艺可用晶圆减薄设备，可将网印的功能加装到贴膜模块里面自动完成。作为本专利技术进一步限制地，所述丝网钢板上设有多个等面积的矩形开孔。作为本专利技术进一步限制地，所述蓝膜为晶圆切割膜。作为本专利技术进一步限制地，所述蓝膜大于单颗晶圆面积。作为本专利技术进一步限制地，所述减薄和贴膜可用晶圆减薄设备，可将网印的功能加装到贴膜模块里面自动完成。作为本专利技术进一步限制地，所述铁环为在切割时，用于支撑蓝膜固定单颗晶圆的铁框。与现有技术相比，本专利技术有益效果是：该方法通过在整片晶圆背面通过丝网网板刷硅胶，再加贴蓝膜切割为单颗晶圆颗粒，从而改变了晶圆对DAF膜的依赖，极大的降低固晶直接材料成本；还避免了点胶工艺中不均匀问题造成的胶层空洞，提高集成电路封装封装工艺的可靠性，同时也提高固晶后芯片平整度利于焊线制程的稳定，在不增加工艺复杂的情况下，降低成本，改善芯片和基板结合品质。附图说明图1和图2是现有的晶圆封装方法示意图。图3是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法的步骤框图。图4是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤一示意图。图5是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤二示意图。图6是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤三示意图。图7是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤四示意图。图8是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤五示意图。图9是本专利技术中晶圆背面印胶的封装方法步骤六示意图。图中，整片晶圆1，单颗晶圆11，硅胶2，蓝膜3，丝网钢板4，矩形开孔41，切割后的晶圆5，基板6，吸盘7，磨轮8。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1和图2所示，现有晶圆在集成电路封装的方法，其中包括两种常规的工艺方法，第一种工艺：晶圆通过DAF膜粘贴，因制作工艺复杂和原材料昂贵，价格居高不下；而第二种工艺，晶圆通过点胶工艺粘贴，因点胶工艺不能保证胶层均匀，容易产生空洞，尤其对于大的芯片，空洞产生的机率更高，空洞面积也更大，给后续的制程造成干扰，给产品的品质稳定系造成极大的风险。如图3至图7所示，本专利技术公开的晶圆背面印胶的封装方法，包括用于封装的晶圆1，胶层和基板6，所述晶圆为整片晶圆，也就是未经过加工的晶圆整体，所述胶层为硅胶2，这样设置是因为硅胶是一种环氧树脂，价格便宜，加热后粘结效果好，无空洞。对所述整片晶圆1执行减薄工艺，刷胶工艺，贴蓝膜工艺，切割工艺，上片工艺，烘烤工艺，其包括：步骤S200、减薄工艺：晶圆背面减薄：将整片晶圆1背面朝上，用磨轮8把整片晶圆1进行磨平、减薄，置于陶瓷真空吸附平台上；上述步骤S200，如图4和图5所示，所述减薄后的整片晶圆为封装工艺中研磨到所需厚度的整片晶圆1。所述晶圆1为硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形。而晶圆1是生产集成电路所用的载体，其大多为单晶硅圆。在晶圆芯片1，其常用的直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，还包括更大规格如12英时以上等。晶圆越大，同一圆片上可生产的集成电路就越多，可降低成本；步骤S201、刷胶工艺：晶圆1背面刷硅胶：将丝网钢板4覆盖在整片晶圆1的上表面，丝网钢板41和整片晶圆4进行对位放置，在丝网钢板4上涂上硅胶，用刮刀将丝网钢板上的硅胶均匀的印到整片晶圆1背面。上述步骤S201，如图6所示，所述丝网钢板上的硅胶包括了Yiztech的NC7720M，Henkel的6202C，所述丝网钢板4上设有多个等面积的矩形开孔41，这样设置，便于在矩形开孔内均匀涂上硅胶；另外，目前，多数公司是减薄和贴膜是一体的设备，其为晶元减薄设备，其中包括迪斯科的DFG8761(晶元减薄)与DFM2800(晶元贴膜)组成的一体机，DFG8560(晶元减薄)和LTD2500(晶元贴膜)组成的一体机，东京精密的减薄贴膜一体机：PG300RM，PG200RM，PG300RM等，其可将网印的功能加装到贴膜模块里面，可将网印的功能加装到贴膜模块里面自动完成。步骤S202、贴蓝膜工艺：晶圆背面贴蓝膜，进行封装工艺中的晶圆贴片制程，在晶圆芯片1背面的硅胶2上面贴上蓝膜3，将其边缘贴在铁环上；上述步骤S202，如图7所示，所述蓝膜3为半导体粘合物的一种，其为晶圆切割膜，其为一种胶带，在晶圆切割和上片过程中，起承载传输作用，其包括多家日企和韩企生产的膜Lintec的D-175，D-176等；而所述蓝膜大于晶圆面积，所述铁环为在切割时，用于支撑蓝膜固定晶圆芯片的铁框；步骤S203、切割工艺：晶圆切割，放在切割机将晶圆芯片和硅胶一起切割，切割后成为背面有硅胶膜的单颗晶圆，单颗晶圆背面就形成一层均匀的硅胶膜；步骤S204、上片工艺：把单颗晶圆通过固晶工艺，固定在基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，其特征在于：所述晶圆为整片晶圆，所述胶层为硅胶层，对所述整片晶圆执行减薄工艺、刷胶工艺、贴蓝膜工艺、切割工艺、上片工艺、烘烤工艺，其包括：步骤一、减薄工艺：晶圆背面减薄，将晶圆背面朝上，用磨轮把晶圆进行磨平、减薄，将减薄后的整片晶圆置于陶瓷真空吸附平台上；步骤二、刷胶工艺：晶圆背面刷硅胶，将丝网钢板覆盖在整片晶圆的背面，丝网钢板和整片晶圆进行对位放置，在丝网钢板上涂上硅胶，用切割刀将丝网钢板上的硅胶均匀的印到整片晶圆背面形成胶膜；步骤三、贴蓝膜工艺：晶圆背面贴蓝膜，在整片晶圆背面的硅胶上面贴加蓝膜，将其边缘贴在铁环上；步骤四、切割工艺：晶圆切割，将整片晶圆和覆盖其背面的硅胶膜放在切割机上一起切割，切割后成为背面有硅胶膜的单颗晶圆，单颗晶圆的背面就形成一层均匀的硅胶膜；步骤五、上片工艺：把切割好的单颗晶圆通过固晶工艺，固定在基板上；步骤六、烘烤工艺：使单颗晶圆颗粒和基板之间进一步固化。

【技术特征摘要】
1.晶圆背面印胶的封装方法，包括晶圆，胶层和基板，其特征在于：所述晶圆为整片晶圆，所述胶层为硅胶层，对所述整片晶圆执行减薄工艺、刷胶工艺、贴蓝膜工艺、切割工艺、上片工艺、烘烤工艺，其包括：步骤一、减薄工艺：晶圆背面减薄，将晶圆背面朝上，用磨轮把晶圆进行磨平、减薄，将减薄后的整片晶圆置于陶瓷真空吸附平台上；步骤二、刷胶工艺：晶圆背面刷硅胶，将丝网钢板覆盖在整片晶圆的背面，丝网钢板和整片晶圆进行对位放置，在丝网钢板上涂上硅胶，用切割刀将丝网钢板上的硅胶均匀的印到整片晶圆背面形成胶膜；步骤三、贴蓝膜工艺：晶圆背面贴蓝膜，在整片晶圆背面的硅胶上面贴加蓝膜，将其边缘贴在铁环上；步骤四、切割工艺：晶圆切割，将整片晶圆和覆盖其背面的硅胶膜放在切割机上一起切割，切割后成为背面有硅胶膜的单颗晶圆，单颗晶圆的背面就形成一层均匀的硅胶膜；步骤五、...

【专利技术属性】
技术研发人员：凡会建，李文化，彭志文，
申请(专利权)人：特科芯有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32