降低边缘应力的晶圆级封装方法技术

本发明专利技术涉及晶圆级芯片封装领域，涉及一种降低边缘应力的晶圆级封装方法。本发明专利技术步骤：步骤1，提供带有功能区、焊盘、晶圆；步骤2，提供盖板，盖板与支撑墙键合在一起；步骤3，利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆键合在一起；步骤4，对晶圆第二表面上切割道的位置进行预切割，并切割去除一定厚度的支撑墙，形成第一槽体；步骤5，对晶圆第二表面进行刻蚀，将焊盘上的材料去除，形成第二槽体；步骤6，制作重分布层，在晶圆第二表面制作重分布层；步骤7，对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明专利技术通过对切割道边缘、金属层以及介质层进行包裹及保护，降低了芯片边缘部分发生分层、开裂的风险；改善焊盘与金属线之间的电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆级芯片封装领域，尤其涉及一种降低边缘应力的晶圆级封装方法。
技术介绍
晶圆的一般结构包括若干个芯片单元，每个芯片单元包括基底和位于所述基底的正面的介质层，基底的正面设有功能区，所述功能区周边设有若干焊盘，且焊盘位于介质层内，功能区与其周边的焊盘电性相连。目前，晶圆级芯片的互连步骤包括，在晶圆基底的背面上做开口，该开口从晶圆的背面延伸到晶圆的正面，并暴露出正面的焊盘，在开口内壁铺设金属线路，将焊盘的电性引到晶圆的背面，实现晶圆级芯片的互连，最后沿晶圆切割道进行切割，形成单颗封装芯片。目前，在对晶圆进行切割后，芯片边缘的介质层与支撑墙的界面处在可靠性测试(如TC、HAST等)的过程中，由于集中应力作用，极易发生分层以及开裂等失效现象，这也将严重影响封装中金属布线层的可靠性。为了解决这一封装中的关键问题，迫切需要一种新型的封装方法来提高封装的可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种降低边缘应力的晶圆级封装方法，通过在晶圆第二表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供晶圆(100)，所述晶圆具有第一表面(100a)和与其相对的第二表面(100b)，所述第一表面上制作有若干功能区(101)，连接功能区与焊盘(102)间信号的介质层(103)，及各功能区周边的至少一焊盘，相邻功能区之间有未覆盖焊盘的切割道(105)；步骤2，提供盖板(300)，盖板与支撑墙(200)键合在一起；步骤3，利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆第一表面键合在一起，使晶圆第一表面的功能区置于支撑墙形成空腔的中央；步骤4，对晶圆第二表面上对应切割道的位置进行预切割，并切割去除部分的支撑墙，形成第一槽体(104)；步骤5，对...

【技术特征摘要】
1.降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，提供晶圆(100)，所述晶圆具有第一表面(100a)和与其相
对的第二表面(100b)，所述第一表面上制作有若干功能区(101)，连接
功能区与焊盘(102)间信号的介质层(103)，及各功能区周边的至少一
焊盘，相邻功能区之间有未覆盖焊盘的切割道(105)；
步骤2，提供盖板(300)，盖板与支撑墙(200)键合在一起；
步骤3，利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆第一表面键合在一
起，使晶圆第一表面的功能区置于支撑墙形成空腔的中央；
步骤4，对晶圆第二表面上对应切割道的位置进行预切割，并切割去
除部分的支撑墙，形成第一槽体(104)；
步骤5，对晶圆第二表面进行刻蚀，将焊盘上方的材料去除，形成第
二槽体(106)；
步骤6，在晶圆第二表面及第二槽体内壁制作重分布层，将焊盘的电
性通过第二槽体导通到预设的焊球(404)的位置；重分布层结构包括钝
化层(401)、金属层布线层(402)和防焊层(403)。同时在第一槽体(104)
中也制作钝化层(401)与防焊层(403)，形成对预切割形成的第一槽体
(104)的包裹；

【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，史戈，别晓锐，安彤，肖智轶，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11