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本发明涉及一种晶圆背面减薄方法，特别涉及一种两步式湿蚀刻的晶圆背面减薄方法，具体包括步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻，强酸采用氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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