半导体器件和制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件和制造方法。具体而言，本发明专利技术公开了用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层、第二半导体层以及包含p型杂质元素的半导体盖层；在形成半导体盖层之后，形成具有开口的介电层；在从介电层的开口露出的半导体盖层上形成包含p型杂质元素的第三半导体层；以及在第三半导体层上形成栅电极。

【技术实现步骤摘要】

本文中讨论的实施方案涉及。
技术介绍
氮化物半导体例如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)、或者包括GaN、AlN和InN的混合晶体的材料通常具有宽带隙。这些材料用作高功率电子器件、短波长发光器件等。其中，已经将与场效应晶体管(FET)、特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)相关的技术开发为高功率器件(例如，专利文献I)。包括氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(HEMT)可以用于闻功率和闻效放大器、闻功率开关器件等。具有氮化物半导体的HEMT通常包括在衬底上形成的氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)异质结构，其中GaN层用作电子传输层。注意衬底可以由蓝宝石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、娃(Si)等形成。作为一种氮化物半导体的GaN包括高饱和电子速度或宽带隙。因此，GaN能够获得优异的耐压性并表现出极好的电气特性。此外，GaN沿着与c轴平行的方向极化(纤锌矿形式)。因此，当形成AlGaN/GaN异质结构时，由于AlGaN与GaN之间的晶格常数差异产生的晶格应变可引起压电极化。结果，在GaN层的界面附近可以生成高浓度的二维电子气(2DEG)。更具体地，参考图1描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层、第二半导体层和包含p型杂质元素的半导体盖层；在形成所述半导体盖层之后，形成具有开口的介电层；在从所述介电层的所述开口露出的所述半导体盖层上形成包含p型杂质元素的第三半导体层；以及在所述第三半导体层上形成栅电极。

【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 2011-2134711.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括: 在衬底上依次形成第一半导体层、第二半导体层和包含P型杂质元素的半导体盖层； 在形成所述半导体盖层之后，形成具有开口的介电层； 在从所述介电层的所述开口露出的所述半导体盖层上形成包含P型杂质元素的第三半导体层；以及 在所述第三半导体层上形成栅电极。2.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在形成所述介电层之后，在氮气氛中进行热处理，其中 已经进行了在所述氮气氛中的所述热处理之后，形成所述第三半导体层。3.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括: 在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层； 在形成所述第二半导体层之后，形成具有开口的介电层； 在从所述介电层的所述开口露出的所述第二半导体层上形成包含P型杂质元素的第三半导体层；以及 在所述第三半导体层上形成栅电极。4.根据权利要求1所述的方法，其中 形成所述第三半导体层包括: 沉积所述第三半导体层；以及 在已经沉积所述第三半导体层之后，在氮气氛中进行热处理。5.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在所述第三半导体层上形成绝缘膜，其中 所述栅电极经由所述绝缘膜形成在所述第三半导体层上。6.根据权利要求1所述的方法，其中 所述P型杂质元素是镁(Mg)。7.根据权利要求1所述的方法，其中 通过金属有机气相外延(MOVPE)形成所述第三半导体层。8.根据权利要求1所述的方法，还包括: 形成源电极和漏电极，使得所述源电极和所述漏电极接触所述第二半导体层或所述半导体盖层。9.一种半导体器件，包括: 在衬底上形成的第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成的第二半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：苫米地秀一，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：