一种获取二维电子气局域化程度的表征因子的方法技术

本发明专利技术公开了一种获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子的方法，包括：制备大尺寸圆形肖特基二极管，并测量其电容-电压特性曲线；建立二维电子气面密度ns与费米能级EF的关系图；确定二维电子气面密度ns与费米能级EF之间的经验关系式，并从该关系式中获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子。利用本发明专利技术，能够获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子，进而解决了目前缺乏定量的表征二维势阱限制沟道电子能力的实验方法的问题，为验证异质结结构设计的效果提供了评估的实验手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高电子迁移率晶体管
，尤其涉及一种获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子的方法。
技术介绍
通过能带设计构造的异质结结构可满足高电子迁移率器件的要求，设计者尤其关注异质结界面的二维势阱对沟道电子的限制能力，该能力或被称二维电子气局域化程度，此能力与抑制器件的短沟道效应密切相关。针对高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度，目前缺乏定量的表征二维势阱限制沟道电子能力的实验方法。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子的方法，以获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子，进而解决目前缺乏定量的表征二维势阱限制沟道电子能力的实验方法的问题。( 二 )技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子的方法，以获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子，该方法包括如下步骤步骤a :制备大尺寸圆形肖特基二极管，并测量其电容-电压特性曲线；步骤b :建立二维电子气面密度ns与费米能级Ef的关系图；步骤c :确本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子的方法，其特征在于，包括：步骤a：制备大尺寸圆形肖特基二极管，并测量其电容?电压特性曲线；步骤b：建立二维电子气面密度ns与费米能级EF的关系图；步骤c：确定二维电子气面密度ns与费米能级EF之间的经验关系式，并从该关系式中获取高电子迁移率晶体管二维电子气局域化程度的表征因子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫华，庞磊，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：