集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，包括提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成第一导电类型外延层；在外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且体区之间形成有预定间隔区域；在每一体区形成多个槽栅，第二导电类型的接触区以及第一导电类型的源区；沉积并刻蚀层间介质层，使层间介质层覆盖槽栅及部分源区以形成接触孔；以及在接触孔上方沉积金属层，金属层与预定间隔区域的外延层形成肖特基二极管。本发明专利技术无需硅刻蚀直接在衬底表面形成肖特基二极管，可降低工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体工艺和器件技术的发展，采用沟槽型的MOSFET器件(UM0SFET)击穿电压可以轻易的达到上百伏，远超过常规MOSFET器件。同时，由于MOSFET器件本身具有的电压控制以及相对双极器件快的多快关速度，使得功率MOSFET器件在工作电压200V以下的高速开关电源管理应用领域中得到广泛应用。例如，在DC/DC电路通常采用由上下串联的两个功率MOSFET，这两个功率MOSFET器件分别由两个栅极控制信号来控制它们的开启和关断，从而实现对负载传输功率。在DC/DC电路中，为了避免直通电流烧毁器件或电路， 在两个功率MOSFET器件轮流工作的开关切换过程中，开关切换的瞬间必须有一个“死区”， 在该“死区”时间(dead time)内两个功率MOSFET器件都必须处于关断状态。在这期间， 由于感性负载中电流需要续流，因此电流会从下管MOSFET漏极和沟道的寄生二极管(body diode)流过。由于该寄生二极管的正向导通压降很大，所以在死区时间内由寄生二极管产生的功耗也较大。现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，所述外延层的多数载流子浓度低于所述半导体衬底的多数载流子浓度；在所述第一导电类型的外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且所述体区之间形成有预定间隔区域，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在每一所述第二导电类型的体区形成多个槽栅，第二导电类型的接触区以及第一导电类型的源区；沉积并刻蚀层间介质层，使所述层间介质层覆盖所述槽栅及部分所述第一导电类型的源区以形成接触孔；以及在所述接触孔上方沉积金属层，所述金属层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟，全冯溪，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：