开关管的制作方法及开关管的蚀刻设备技术

本发明专利技术公开了一种开关管的制作方法，包括在玻璃基板上依次形成开关管的控制电极、绝缘层、有源层以及源漏金属层，对源漏金属层进行图案化处理后暴露有源层，之后对暴露的有源层以逐步降低蚀刻速度的方式进行蚀刻以形成开关管的沟道。本发明专利技术还公开一种开关管的蚀刻设备。通过上述方式，本发明专利技术能够减小对开关管沟道的损伤，提高开关管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种开关管的制作方法及开关管的蚀刻设备。
技术介绍
在TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)的制作工艺中，5次光刻工艺相对于7次光刻工艺而言，其生产周期更短，成品率更高，能够有效减少TFT阵列形成的曝光次数，因此，在现代TFT-IXD的生产过程中，通常采用5次光刻工艺来完成TFT的制作。5次光刻工艺一般分为背沟道蚀刻型(Back channel Etching TFT)和背沟道阻挡型(Etch StopTFT),而背沟道蚀刻型相对背沟道阻挡型其制程更简单，更适合大批量生产。如图I所示，采用背沟道蚀刻型工艺制作TFT的过程中，在玻璃基板I上依次形成TFT的栅极2、绝缘层3、a-Si层4、n+a-Si层5以及源漏极6之后，对a_Si层4和n+a-Si层5进行蚀刻以形成TFT的沟道7。其中，在TFT的沟道7的蚀刻过程中，主要采用一步蚀刻的方法，使用同样的气体流量，同样的功率和同样的压力去蚀刻a-Si层4和n+a-Si层5，即一步完成对a_Si层4和n+a-Si层5的蚀刻，并且在过蚀刻时也采用同样的参数进行蚀刻，使得在整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关管的制作方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上依次形成开关管的控制电极、绝缘层、有源层以及源漏金属层；将所述源漏金属层进行图案化处理以暴露有源层，并相应形成所述开关管的输入电极和输出电极；对暴露的有源层以逐步降低蚀刻速度的方式进行蚀刻以形成开关管的沟道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阙祥灯，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：