【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体涉及半导体制造工艺以及半导体器件的领域，更特定而言，是涉及制造适用于窄间距应用的器件的设备及方法。
技术介绍
通过简单地收缩器件结构来缩小半导体器件通常无法产生可被接受的小尺寸结构。举例来说，在NAND闪存器件中，当浮置栅极被缩小时，浮置栅极的电容性耦合(例如，侧壁电容)也因此随浮置栅极的表面积而被缩小。如此，浮置栅极的表面积越小时，介于浮置栅极以及例如，控制栅极之间的电容性耦合也会越小。一般来说，只要NAND存储器件仍可维持运作，则为了缩小尺寸而牺牲电容性耦合的抉择是可接受的。遗憾的是，当器件节点变得足够小，以致介于浮置栅极与控制栅极之间的电容性耦合变得太小而无法有效地在可 允许的操作电压下操作该器件时，缩小尺寸受到限制。此外，介于相邻浮置栅极之间的寄生电容(即，噪声)增加，超出NAND存储器件中系统控制器读取误差的极限。因此，在此条件下不可能有具功能性的NAND器件。在此提供用于制造具有较小表面积的器件，例如，NAND器件及其它器件的方法以及设备。
技术实现思路
在此描述用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及方法。在此所描述的各种器件...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：乌陀衍·甘古利，约瑟夫·M·拉内什，阿伦·缪尔·亨特，汤静，克里斯托弗·S·奥尔森，马修·D·科特奈伊卡斯特，维基·阮，斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑，刘伟，约翰内斯·F·斯温伯格，孙士雨，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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