利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法以及电极部件技术

本发明专利技术提供一种能够稳定且精度良好地得到具有规定表面凹凸的基材的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法，以及通过这样的形成方法得到的电极部件。本发明专利技术涉及，在进行等离子体蚀刻处理时，将具有微细的表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜使用，在基材上形成规定的表面凹凸图案的表面凹凸形成方法等，所述表面凹凸形成方法包括：对基材涂布含金属盐液态物，形成金属盐膜的第1工序；在金属盐膜上形成微细的表面凹凸，并且进行部分氧化，形成保护膜的第2工序，将基材与保护膜一起进行等离子体蚀刻处理，在基材上形成规定的表面凹凸的第3工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法以及电极部件，尤其涉及作为电子设备用电极等的形成方法最为适合的、利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法、以及由此得到的电极部件。
技术介绍
以往，已知有在玻璃基板上通过蒸镀等方法形成有由金属氧化物形成的薄膜(以下，有时称为金属氧化物膜)的透明电极。 但是，从轻量化、薄型化的观点考虑，已使用塑料膜代替玻璃基板。 并且，作为在这样的塑料膜上形成金属膜或金属氧化物膜的方法，已知有以下的形成方法。(I)金属或金属氧化物材料的真空蒸镀或者溅射等蒸镀法。(2)涂布使金属或金属氧化物粒子分散在有机粘结剂中而形成的溶液的涂布方法。但是，在(I)蒸镀法中，发现了由于需要高真空，所以制造成本增加，在量产性和经济性上存在困难的问题。另外，在(2)涂布方法中，发现了得到的金属膜等的导电性比通过蒸镀法得到的金属膜等差的问题。因此，作为金属氧化物膜的形成方法，提出了通过使用金属醇盐及其水解物的溶胶-凝胶法，在基材上形成金属氧化物凝胶后，实施等离子体处理的方法(例如，参照专利文献I)。更具体地说，是在基材上，将以金属醇盐或金属盐作为主原料而得到的金属氧化物溶胶预先变为金属氧化物凝胶后，对该金属氧化物凝胶实施规定的等离子体处理而形成金属氧化物膜的方法。另外，在有机薄膜太阳能电池等的
中，为了提高光转换效率等，公开了设有具有凹凸的纹理层的太阳能电池用透明电极基板(例如，参照专利文献2)。更具体地说，是含有树脂膜、具有凹凸的纹理层和由金属氧化物形成的层的太阳能电池用透明电极基板，是具有凹凸的纹理层由光固化性组合物固化而得到的太阳能电池用透明电极基板。进而，还提出了作为阳极氧化被膜，在金属膜或金属氧化物膜上直接形成纳米结构图案的方法，并提出了以电化学方法得到自规则性地具有细孔的多孔性材料的制作方法(例如，参照专利文献3)。更具体地说，如图12(a) (f)所示，是得到多孔性材料的制作方法。S卩，该制作方法包括以下步骤如图12(a)所示，将成为母模201的铝进行阳极氧化，由此在表面生成阳极氧化被膜(阳极氧化被膜阻挡层202、阳极氧化被膜多孔层203)。接着，如图12(b)所示，将其作为具有阳极氧化被膜的母模201，在母模201的细孔内填充成为多孔质被膜的负模的金属205’。接着，如图12(c)所示，选择性地溶解母模201，进而，如图12(d)所示，通过除去阳极氧化被膜202、203，得到了多孔质被膜的负模205。并且，如图12(e)所示，在该负模205填充其它物质206’后，如图12(f)所示，通过选择性地溶解负模205，得到了与阳极氧化被膜同一形状的多孔性材料206。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2000-327310号公报(权利要求书)专利文献2 日本特开2008-177549号公报(权利要求书) 专利文献3 日本特开平2-254192号公报(权利要求书)
技术实现思路
但是，在专利文献I公开的形成方法中发现了以下问题，即在凹凸结构上形成金属膜或金属氧化物膜吋，在实施等离子体处理而得到金属氧化膜之前，必需将金属氧化物溶胶预先变为金属氧化物凝胶，不仅制造エ序数多，而且难以稳定且精度良好地在凹凸结构上形成金属氧化物膜。另外，在专利文献2公开的形成方法中发现了以下问题，即必需在具有凹凸结构的纹理层上进ー步形成由金属或金属氧化物膜形成的导电层，而且，金属膜或金属氧化物膜容易从纹理层剥离。另外，在专利文献3公开的多孔性材料的制作方法中发现了以下问题，即不仅制造エ序数多，而且难以精度良好且稳定地制作由金属氧化物膜形成的多孔性材料。另ー方面，过去认为，无法介由形成于基材上的金属氧化物，对作为基底的基材进行等离子体蚀刻处理。因此，本专利技术的专利技术人鉴于以上的情况进行深入研究，结果发现对适合于电极部件等的基材进行等离子体蚀刻处理时，通过将具有微细的表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜(蚀刻速度调整部件)使用，在基材上，可以稳定且精度良好地形成比较大的表面凹凸，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的目的是提供一种能够稳定且精度良好地得到具有规定表面凹凸的基材的、利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法，以及通过这样的形成方法而得到的电极部件。根据本专利技术，提供ー种利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法，其特征在干，是在进行等离子体蚀刻处理时，利用具有表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜(蚀刻速度调整部件)，在基材上形成表面凹凸图案的表面凹凸形成方法，包括下述第Iエ序 第3エ序，从而可以解决上述问题。(I)对基材涂布含金属盐液态物，形成金属盐膜的第Iエ序，(2)在金属盐膜上形成表面凹凸，并且进行部分氧化，形成保护膜的第2エ序，(3)将基材与保护膜一起进行等离子体蚀刻处理，在基材上形成表面凹凸的第3ェ序。如此，在将具有微细的表面凹凸(例如、Ra为5nm以下)且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜(蚀刻速度调整部件)而形成于基材上的状态下，通过将该保护膜和基材同时进行等离子体蚀刻处理，从而可以在基材上稳定且精度良好地形成纳米级的比较大的表面凹凸(例如、Ra为IOnm以上)。即，推测在设有具有微细的表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜的基材的蚀刻处理中，部分氧化的金属盐膜的厚度比较薄的地方的等离子体蚀刻速度相对变快，部分氧化的金属盐膜的厚度比较厚的地方的等离子体蚀刻速度相对变慢(以下，有时称为蚀刻速度调整效果)。并且，推测这样的蚀刻速度调整效果根据金属盐膜的部分氧化的程度发生很大的变化。应予说明，在将含金属盐液态物涂布干燥时，一边调整加热干燥条件形成金属盐膜，一边可以同时实施表面凹凸的形成和部分氧化，即，也可以同时实施第I工序和第2工 序。此外，在本专利技术中，金属盐膜是在基材上涂布规定的含金属盐液态物而形成，该含金属盐液态物被定义为含有金属盐和金属配位化合物、或者任意一方，及规定量的溶剂而构成(以下相同)。另外，在实施本专利技术的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法时，优选在第2工序中通过金属盐膜的等离子体处理、金属盐膜的热干燥处理、或金属盐膜的机械性压力处理中的至少一种处理来设置金属盐膜的表面凹凸。通过这样形成表面凹凸，可以进一步稳定且精度良好地得到具有表面凹凸的保护膜。另外，在实施本专利技术的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法时，优选在第2工序中通过使用了作为等离子体生成气体的氧的等离子体处理、或120 300°C的热氧化处理来进行金属盐膜的部分氧化。通过这样进行金属盐膜的部分氧化，可以进一步稳定且精度良好地在基材上得到具有规定的等离子体蚀刻耐性的保护膜。另外，通过这样进行金属盐膜的部分氧化，还可以使金属盐膜呈现导电性，形成导电性保护膜。另外，在实施本专利技术的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法时，优选在第3工序中进行作为等离子体生成气体使用了稀有气体、氮、以及四氟甲烷中的至少一种的等离子体蚀刻处理。通过这样进行等离子体蚀刻处理，可以稳定且精度良好地对保护膜和基材同时进行等离子体蚀刻处理。另外，在实施本专利技术的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法时，优选在基材的表面形成有由能够进行等离子体蚀刻处理的有机材料形成的树脂层。通过这样进行等离子体蚀刻处理，可以在树脂层形成表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：永绳智史，近藤健，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：