本发明涉及半导体装置的制造方法，其使用半导体加工用粘合片，所述半导体加工用粘合片依次具有基材、中间层及粘合剂层，且选自上述基材、上述中间层及上述粘合剂层中的1层以上为含有热膨胀性粒子的热膨胀性层，该半导体装置的制造方法包括工序1～4。

一种粘合片的膨胀方法，所述粘合片具有基材和粘合剂层，且该粘合片所包含的至少1层为含有热膨胀性粒子的热膨胀性层，该方法是以上述粘合剂层作为粘贴面将上述粘合片粘贴于作为被粘附物(W)的一面的面(Wα)后使其部分膨胀的方法，该方法包括工序1及2。

本发明涉及接合方法，该方法是使用高频介电加热用粘接剂(11)将被粘附物(120)接合的接合方法，该方法具有：配置工序，配置介电加热装置(50)的电极、被粘附物(120)及间隔件(210)；以及高频电场施加工序，对高频介电加热用粘接剂(1...

本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的光泽值为32～95。

本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是含有树脂成分和经过了疏水化处理的二氧化硅的层。

本发明涉及半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质...

提供固化性粘接剂组合物，其包含：具有反应性官能团的粘结剂树脂(A)；具有乙烯基、数均分子量为1500以上且小于5000的聚苯醚树脂(B)；以及具有2个以上在末端具有双键的不饱和烃基的多官能性化合物(C)。

本发明为一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：在减压环境下，将具备支撑片(11)与设置在支撑片(11)的一个面(11a)上的固化性树脂膜(12)的保护膜形成用片(1)中的固化性树脂膜(12)贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的工...

本发明提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，也可抑制剥离时芯片产生裂纹，并充分抑制加工晶圆时所产生的静电的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片具有：基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，将能量射线固化后的...

本发明的技术问题在于：提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也会充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生受到抑制的半导体加工用保护片；以及提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造...

本发明的技术问题在于：提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也会充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生受到抑制的半导体加工用保护片；以及提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造...

本发明提供一种半导体加工用保护片，并提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法，该半导体加工用保护片即使在背面研磨后的晶圆较薄的情况下，也可抑制晶圆在剥离半导体加工用保护片时发生破损，并充分抑制了加工晶圆时所产生的静电。所...

提供片粘贴装置及片粘贴方法，即使对粘贴粘接片的被粘物的片粘贴区域实施了难粘接处理，折曲并粘贴的粘接片也不会从所述片粘贴区域剥离。片粘贴装置(EA)具备粘贴单元(20)，以在沿规定供给方向(SD)供给的粘接片(AS)的供给方向(SD)的一...

提供片粘贴装置及片粘贴方法，防止粘贴装置的设定费时。具备：粘贴单元(20)，以在沿规定供给方向(SD)供给的粘接片(AS)的供给方向的一端(AS1)侧及另一端(AS2)侧双方形成从被粘物(WK)的规定的一面(WK3)伸出的伸出区域(AS...

一种光学单元，其特征在于，包括光学构件(10)以及遮光胶带(20)，遮光胶带(20)在光学构件(10)的整周上粘接在光学构件(10)的表面(11)的端部、背面(12)的端部以及侧面(13)，遮光胶带(20)中不含有金属材料。

本发明提供一种基材膜，其具备含有聚酯树脂及高分子型抗静电剂的第一树脂层，所述聚酯树脂具有脂环结构，且其通过差示扫描量热法以

片粘贴装置

本发明提供一种固化性粘接剂组合物

本发明涉及能量射线交联性粘合剂组合物

本发明涉及能量射线交联性粘合剂组合物