【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法。特别是涉及一种可适宜地使用于对晶圆的背面进行研磨并以其应力等对晶圆进行单颗化的方法中的半导体加工用保护片、以及使用该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、随着各种电子设备的小型化、多功能化的推进，对于搭载在这些电子设备中的半导体芯片也同样地要求小型化、薄化。为了将芯片薄化，通常对半导体晶圆的背面进行研磨来调整厚度。此外，为了得到经薄化的芯片，有时利用被称为先切割法(dbg：研磨前切割(dicing before grinding))的方法，该方法利用切割刀片从晶圆的表面侧形成预定深度的沟槽后，从晶圆的背面侧进行研磨，使研磨面到达沟槽或沟槽附近来将晶圆单颗化而得到芯片。在dbg中，由于可以同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化，因此能够有效地制造薄型芯片。
2、以往，在进行半导体晶圆的背面研磨时或通过dbg制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路、且为了保持半导体晶圆及半导体芯片，通常在晶圆表面贴附被称为背磨片的粘着胶带。
3、作为背磨片的一个实例，专利文献1及专利文献2公开一种粘着胶带，其是在高杨氏模量的基材中，在基材的一个表面设置有缓冲层、在另一个表面设置有粘着剂层的粘着胶带。
4、近年来，作为dbg的变形例，已经提出一种利用激光在晶圆内部设置改质区域，并且以晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的方法。以下，有时将该方法记作ldbg(研磨前激光切割(laser dicing before grinding))。在ldbg中
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：国际公开第2015/156389号
8、专利文献2：日本特开2015-183008号公报
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、已知在加工晶圆时(例如，切割时、背面研磨时、清洗时、剥离背磨胶带时)会产生静电。当产生静电时，研磨时所产生的切削屑、环境中存在的微小异物等容易附着于晶圆或单颗化而成的芯片。
3、例如，若在进行背面研磨时切削屑、异物等附着于晶圆，则背面研磨时的压力会集中在所附着的异物等，晶圆可能以异物等为起点而破损。特别是在进行以磨薄晶圆为目的的dbg时，晶圆容易因轻微的压力的集中而发生破损。因此，有必要抑制加工晶圆时所产生的静电。
4、此外，要求背磨胶带在进行晶圆的背面研磨时与晶圆的表面强力粘合而充分地保护电路等，且在背面研磨后从晶圆剥离背磨胶带时，容易从晶圆上剥离。因此，贴附于晶圆的背磨胶带的粘着剂层通常由能量射线固化性的粘着剂构成。在剥离时，向粘着剂层照射能量射线而使其固化，并使其粘着力降低，由此谋求兼顾背面研磨时的粘合性与背面研磨后的剥离性。
5、然而，当基于能量射线照射的粘着剂层的固化不充分时，存在粘着剂在剥离时残留在晶圆上、或者因剥离不良而使单颗化而成的芯片彼此接触进而发生芯片的缺失、破损(以下有时称为芯片的裂纹)的情况。特别是在ldbg中，由于芯片的切口宽度小，因此即使是略微的剥离不良也可能产生芯片的裂纹。
6、当将专利文献1及专利文献2所记载的背磨胶带使用于dbg、特别是使用于ldbg时，存在对加工晶圆时所产生的静电的抑制不充分与对剥离背磨胶带时的芯片的裂纹的产生的抑制不充分的问题。
7、本专利技术鉴于这种实际情况而完成，本专利技术的目的在于提供一种半导体加工用保护片且提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用保护片即使在通过dbg等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生也受到抑制。
8、解决技术问题的技术手段
9、本专利技术的方案如下。
10、[1]一种半导体加工用保护片，其具有基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，能量射线固化后的粘着剂层的表面电阻率为5.1×1012ω/cm2以上且1.0×1015ω/cm2以下。
11、[2]根据[1]所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式，将能量射线固化后的粘着剂层从硅晶圆上剥离时的粘着力小于0.15n/25mm。
12、[3]根据[1]或[2]所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化后的粘着剂层从硅晶圆上剥离时的粘着力，相对于以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化前的粘着剂层从硅晶圆上剥离时的粘着力之比为4％以下。
13、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，基材的杨氏模量为1000mpa以上。
14、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的半导体加工用保护片，其具有在基材的一个主面上具有粘着剂层，在基材与粘着剂层之间设置有抗静电层，在基材的另一个主面上设置有缓冲层的构成；或者其具有在基材的一个主面上具有粘着剂层，在基材与粘着剂层之间设置有抗静电层及缓冲层的构成。
15、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的半导体加工用保护片，其在对表面形成有沟槽或内部形成有改质区域的晶圆的背面进行研磨而将晶圆单颗化为芯片的工序中，以贴附在晶圆的表面的方式进行使用。
16、[7]一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
17、将[1]～[6]中任一项所述的半导体加工用保护片贴附在晶圆的表面的工序；
18、从晶圆的表面侧形成沟槽的工序、或者从晶圆的表面或背面在晶圆内部形成改质区域的工序；
19、对表面贴附有半导体加工用保护片，且形成有沟槽或改质区域的晶圆从背面侧进行研磨，以沟槽或改质区域为起点，将所述晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
20、将半导体加工用保护片从单颗化而成的芯片上剥离的工序。
21、专利技术效果
22、根据本专利技术，能够提供一种半导体加工用保护片且能够提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用保护片即使在通过dbg等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生也受到抑制。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体加工用保护片，其具有基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，能量射线固化后的粘着剂层的表面电阻率为5.1×1012Ω/cm2以上且1.0×1015Ω/cm2以下。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化后的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力小于0.15N/25mm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化后的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力，相对于以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化前的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力之比为4％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，所述基材的杨氏模量为1000MPa以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，所述半导体加工用保护片具有在所述基材的一个主
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用保护片，其在对表面形成有沟槽或内部形成有改质区域的晶圆的背面进行研磨而将晶圆单颗化为芯片的工序中，以贴附在晶圆的表面的方式进行使用。
7.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体加工用保护片，其具有基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，能量射线固化后的粘着剂层的表面电阻率为5.1×1012ω/cm2以上且1.0×1015ω/cm2以下。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化后的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力小于0.15n/25mm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，其中，以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化后的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力，相对于以剥离速度为600mm/分钟且使粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式将能量射线固化前的所述粘着剂层从所述硅晶圆上剥离时的粘着力之比为4％...
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