【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种带保护膜的芯片的制造方法。本申请基于2021年6月28日在日本提出申请的日本特愿2021-106978号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
1、以往，在将用于mpu或门阵列等的多引脚lsi封装安装于印刷布线基板时，作为芯片，使用在芯片的连接焊垫(connection pad)部形成有由共熔焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(也称作“凸点”)的芯片。
2、在这些芯片的安装中，采用倒装芯片安装方法，其中，通过所谓的倒装方式(facedown)，使这些凸状电极朝向芯片搭载用基板上的对应端子部且使之接触、并实施熔融/扩散焊接。
3、该安装方法中所使用的芯片可通过对在电路面上形成有凸状电极的晶圆进行单颗化而得到。并且，在该过程中，出于保护晶圆的电路面及凸状电极的目的，通常会将固化性树脂膜贴附于电路面，并使该树脂膜固化从而在电路面上形成保护膜。通过对形成有保护膜的晶圆进行单颗化，可得到带保护膜的半导体芯片。
4、该安装方法中所使用的固化性树脂膜以作为与支撑片的层叠物的保护膜形成用片的状态使用。在保护膜形成用片中，在支撑片的一个面的整个面上设置有固化性树脂膜。
5、例如，专利文献1中记载了一种半导体装置的制造方法，其具有：将固化性树脂膜贴附于形成有凸起电极的晶圆面的贴附工序；使粘合剂层固化的固化工序；及切割晶圆的切割处理工序。该制造方法的切割处理工序在固化工序之后实施。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本专利第632
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、然而，在专利文献1所记载的制造方法中，切割处理工序在固化工序之后实施。因此，就通过该制造方法得到的带保护膜的芯片而言，芯片的侧面(即，芯片的外周)不会受到保护膜的保护。因此，由该带保护膜的芯片的保护膜带来的保护效果有时并不充分。
3、因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够得到芯片的外周受到保护膜保护的带保护膜的芯片的带保护膜的芯片的制造方法。
4、解决技术问题的技术手段
5、本专利技术采用以下构成。
6、[1]一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：在减压环境下，将具备支撑片与设置在支撑片的一个面上的固化性树脂膜的保护膜形成用片中的所述固化性树脂膜贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的减压贴附工序；通过使贴附后的所述固化性树脂膜固化，从而在上述晶圆的所述面上形成保护膜的固化工序；及通过将形成所述保护膜后的所述晶圆分割并切断所述保护膜，从而得到具备芯片与设置在所述芯片上的切断后的所述保护膜的带保护膜的芯片的加工工序，在所述晶圆的所述面上形成有成为所述晶圆的分割位置的沟槽。
7、[2]根据[1]所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，关于所述保护膜形成用片，在温度为90℃、频率为1hz的条件下，使直径为25mm、厚度为1mm的固化性树脂膜的试验片产生应变，并测定试验片的储能模量，在将试验片的应变为1％时的试验片的储能模量设为gc1且将试验片的应变为300％时的试验片的储能模量设为gc300时，通过下述式计算出的x值为19以上且小于10000：
8、x＝gc1/gc300。
9、[3]根据[1]或[2]所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，在所述减压贴附工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述固化性树脂膜并从所述固化性树脂膜中突出，或在所述加工工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述保护膜并从所述保护膜中突出。
10、专利技术效果
11、根据本专利技术，能够提供一种可对形成在晶圆上的沟槽填充保护膜，可得到芯片的外周受到保护膜保护的带保护膜的芯片的带保护膜的芯片的制造方法。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，在所述减压贴附工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述固化性树脂膜并从所述固化性树脂膜中突出，或在所述加工工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述保护膜并从所述保护膜中突出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带保护膜的芯片的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，根本拓，田村樱子，森下友尭，四宫圭亮，中石康喜，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：
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