【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种带保护膜的芯片的制造方法。本申请基于2021年6月28日在日本提出申请的日本特愿2021-106978号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
1、以往，在将用于mpu或门阵列等的多引脚lsi封装安装于印刷布线基板时，作为芯片，使用在芯片的连接焊垫(connection pad)部形成有由共熔焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(也称作“凸点”)的芯片。
2、在这些芯片的安装中，采用倒装芯片安装方法，其中，通过所谓的倒装方式(facedown)，使这些凸状电极朝向芯片搭载用基板上的对应端子部且使之接触、并实施熔融/扩散焊接。
3、该安装方法中所使用的芯片可通过对在电路面上形成有凸状电极的晶圆进行单颗化而得到。并且，在该过程中，出于保护晶圆的电路面及凸状电极的目的，通常会将固化性树脂膜贴附于电路面，并使该树脂膜固化从而在电路面上形成保护膜。通过对形成有保护膜的晶圆进行单颗化，可得到带保护膜的半导体芯片。
4、该安装方法中所使用的固化性树脂膜以作为与支撑片的层叠物的保护膜形成用片的状态...
【技术保护点】
1.一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，在所述减压贴附工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述固化性树脂膜并从所述固化性树脂膜中突出，或在所述加工工序中，使所述凸状电极的上部贯穿所述保护膜并从所述保护膜中突出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的带保护膜的芯片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带保护膜的芯片的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，根本拓，田村樱子，森下友尭，四宫圭亮，中石康喜，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：
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