【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及固态摄像元件、制造方法和电子设备,更具体地,涉及能够进一步提高性能的固态摄像元件、制造方法和电子设备。
技术介绍
1、迄今为止,在诸如cmos(互补金属氧化物半导体:complementary metal oxidesemiconductor)图像传感器等固态摄像元件中,为了提高集光效率,已经采用了按每个像素都设置有片上透镜(on-chip lens)的构造。
2、顺便提及,在通过利用透镜来聚集光的构造中,仅能够聚集光到光的衍射极限(波长左右)为止,这导致了在聚集之后由于衍射因而使光扩散出去。于是,存在如下的问题,即:如果伴随着像素微细化的进展而使片上透镜的集光点向近前侧移动,那么在具有与要被聚集的光的波长接近的尺寸的微小像素中,作为在聚集之后由于衍射因而使光扩散的结果,可能比在大像素中更容易发生混色(color mixture)。鉴于这样的原因,作为用于防止这种混色的发生的对策,已经提出了使片上透镜的高度尽可能低的构造、以及不设置有片上透镜的构造等。
3、例如,专利文献1提出了一种摄像元件,该摄像
...【技术保护点】
1.固态摄像元件,包括:
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:
3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
5.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
6.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中,
7.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中,
8.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:
9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,
10.固态摄像元件的制造方法,
11.电子设备,其包括固态摄像元件,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.固态摄像元件,包括:
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:
3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
5.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:横地界斗,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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