【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在信息终端设备的薄型化、小型化及多功能化急速发展的过程中，对于搭载于这些设备的半导体装置，也提出了薄型化及高密度化的要求。
2、作为将半导体装置薄型化的方法，已进行了对半导体装置中使用的半导体晶片的背面进行磨削的方法。半导体晶片的背面磨削是在将背面磨削用的半导体加工用粘合片(以下，也称为“背磨片”)粘贴于半导体晶片的表面、并利用该片保护着半导体晶片的表面的状态下进行的。背磨片在背面磨削后被从半导体晶片的表面剥离除去。
3、近年来，作为在抑制对半导体芯片造成的损伤的同时进行薄型化的磨削及单片化方法，已实用的有先切割法、隐形先切割法等。先切割法是在半导体晶片的表面利用切割刀等形成了给定深度的槽之后，对该半导体晶片从背面侧磨削至到达槽，由此单片化为半导体芯片的方法。另外，隐形先切割法是通过激光的照射而向半导体晶片的内部形成了改性区域之后，对该半导体晶片从背面侧进行磨削，以上述改性区域为分割起点使其割断，由此单片化为半导体芯片的方法。在这些方法中也使用了用于保护半导体晶片的表面的背磨片。
4、在这些薄型化工艺技术的开发的同时，对于半导体加工用粘合片，也要求用于将半导体芯片成品率良好地薄型化的功能，并已进行了各种研究。
5、在专利文献1中，作为能够适用于先切割法或隐形先切割法的半导体晶片表面保护用粘合片，开发了一种半导体晶片表面保护用粘合片，其具有基材膜、设置于上述基材膜的至少一面侧且由粘合剂形成的中间层、以及设置于上述
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2015-56446号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、根据专利文献1的半导体晶片表面保护用粘合片，被认为能够在将半导体晶片单片化为芯片后抑制原本的芯片间隔被破坏的切口偏移，并且能够抑制由半导体晶片的磨削屑导致的污染，能够防止在剥离了表面保护带时在芯片上的残胶。
3、另一方面，在半导体加工用粘合片中，有时设有用于吸收对半导体晶片等工件进行加工时所产生的振动、冲击等而防止工件的破损的缓冲层。
4、缓冲层由比基材容易发生变形的材料构成，由于其设置于基材的与粘合剂层相反侧的表面，因此有时会在半导体加工用粘合片的制造时、工件的加工时等意外地产生损伤。为了防止该情况，在缓冲层的与基材相反侧的表面形成表面涂层是有效的。
5、另外，表面涂层除了防止缓冲层的损伤之外，有时还起到抑制磨削屑的附着的作用。例如，背磨片在对工件进行背面磨削时被固定于卡盘工作台等支撑装置，但如果在背磨片与支撑装置的工作台之间存在磨削屑，则有时会以存在该磨削屑的部分为起点，由于将工件固定于工作台时的冲击、背面磨削中的加压、振动等而导致在工件产生裂纹。通过在背磨片的固定于支撑装置一侧的表面设置能够抑制磨削屑的附着的表面涂层，可以抑制上述问题的发生。
6、然而，本专利技术人等经研究发现，在将工件粘贴于具有表面涂层的半导体加工用粘合片、并在将表面涂层固定于支撑装置的状态下进行了给定的加工的情况下，有时在加工后无法成功地将带有半导体加工用粘合片的工件从支撑装置提起，从而无法进行搬运。其原因被认为归因于：由于对工件进行加工时的压力、热等而导致表面涂层过度地密合于支撑装置。
7、本专利技术是鉴于上述背景而完成的，目的在于提供工件加工后的搬运性优异的半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法。
8、解决问题的方法
9、本专利技术人等经过了深入研究，结果发现，利用依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层、且具有特定的构成或性状的半导体加工用粘合片，能够解决上述课题，进而完成了以下的本专利技术。
10、即，本专利技术涉及下述[1]～[27]。
11、[1]一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
12、上述表面涂层含有苯乙烯类树脂，
13、上述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。
14、[2]上述[1]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为80质量％以下。
15、[3]上述[1]或[2]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述苯乙烯类树脂为选自下组中的至少一种：苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物及苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物。
16、[4]上述[1]～[3]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述苯乙烯类树脂的重均分子量(mw)为10,000～600,000。
17、[5]上述[1]～[4]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述表面涂层的厚度为0.05～10μm。
18、[6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，上述缓冲层是由含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的缓冲层形成用组合物形成的层。
19、[7]上述[1]～[6]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。
20、[8]一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
21、将上述[1]～[7]中任一项所述的半导体加工用粘合片以上述粘合剂层为粘贴面粘贴于半导体晶片的表面的工序；和
22、在利用支撑装置将粘贴于上述半导体晶片的上述半导体加工用粘合片的上述表面涂层侧固定的状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削的工序。
23、[9]一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
24、分割预定线形成工序：其是在半导体晶片的表面形成槽的工序a、或者是从半导体晶片的表面或背面向上述半导体晶片的内部形成改性区域的工序b；
25、片粘贴工序：在上述工序a之后、或者在上述工序b之前或之后，将上述[1]～[7]中任一项所述的半导体加工用粘合片以上述粘合剂层为粘贴面粘贴于上述半导体晶片的表面；以及
26、磨削及单片化工序：在利用支撑装置将粘贴于上述半导体晶片的半导体加工用粘合片的上述表面涂层侧固定的状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削，将其以上述槽或上述改性区域为起点而单片化为多个半导体芯片。
27、[10]一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
28、上述表面涂层在90℃下的储能模量e’为100mpa以上。
29、[11]上述[10]所述的半导体加工用粘合片，其中，上述表面涂层为含有树脂成分的有机层。
30、[12]上述[11]所述的半导体加本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。
8.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
9.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
10.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
11.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体加工用...
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