蚀刻方法及装置制造方法及图纸

在抑制或防止玻璃基板等含有含硅物的被处理基板的第一面(例如主面)的蚀刻的同时，对背侧的第二面进行蚀刻。在含有氟化氢及水的处理气氛中配置被处理基板(9)。通过包括加热器(21)的调节机构，以使被处理基板(9)的第一面(9a)的温度成为比处理气氛的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使第二面(9b)的温度成为上述凝结点以下的方式进行调节。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对含有含硅物的被处理基板进行蚀刻的方法及装置，尤其涉及适合将玻璃基板的背面蚀刻成轻微粗面化的程度的方法及装置。
技术介绍
例如，在专利文献1、2等中记载有使含有氟化氢(HF)的处理气体与玻璃基板接触，来对玻璃基板的表面的含硅物进行蚀刻的技术。上述处理气体通过向含有例如CF4等氟系化合物的原料气体中添加水(H2O)后，利用大气压放电使上述原料气体等离子化而形成。通过等离子化而生成氟化氢(式I)。CF4+2H20 — 4HF+C02 (式 I) 当处理气体与玻璃基板接触时，氟化氢及水凝结，在玻璃基板的表面形成氢氟酸的凝结层。并且，引起例如下式2所示的蚀刻反应，将玻璃基板的表面的含硅物蚀刻。Si02+4HF+H20 — SiF4+3H20 (式 2)在先技术文献专利文献专利文献I国际公开第W02008/102807号专利文献2日本特开2007-294642号公报上面登载的专利文献1、2等中公开的蚀刻处理技术能够适用于例如使玻璃基板的背面轻微粗化的处理等。通过预先使背面轻微粗化，在将该玻璃基板载置到台架上而对主面(表侧的面)进行表面处理后，将其从台架搬出时，能够容易将玻璃基板从台架分开。上述蚀刻处理引起的玻璃基板的背面的粗化度在能够容易将玻璃基板从台架分开的范围内，优选尽量小。若粗化度过于大，则在之后的主面的表面处理时，可能难以使玻璃基板与台架密接，或者可能损坏玻璃基板的光学特性。但是，认为蚀刻用的处理气体通过扩散也与玻璃基板的主面接触。于是，连主面也被粗面化。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的情况而提出，其目的在于，在抑制或防止玻璃基板等含有含硅物的被处理基板的第一面(例如主面)的蚀刻的同时，对背侧的第二面进行蚀刻。为了解决上述问题点，本专利技术方法为在接近大气压的气压下对被处理基板进行蚀刻的方法，该被处理基板含有含硅物，且具有第一面和该第一面的背侧的第二面，所述蚀刻方法的特征在于，在含有氟化氢蒸气及水蒸气的处理气氛中配置所述被处理基板，以使所述第一面的温度成为比所述处理气氛中的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使所述第二面的温度成为所述凝结点以下的温度的方式进行调节。在被处理基板的第二面上，根据所述凝结点与第二面的温度的关系，使氟化氢及水在第二面上凝结而形成氢氟酸的凝结层。由此，引起构成第二面的含硅物的蚀刻反应，从而能够对第二面进行蚀刻(包括粗化)。另一方面，在第一面上，根据所述凝结点与第一面的温度的关系，能够避免形成凝结层。因此，能够抑制或防止第一面的蚀刻。优选使所述第一面的温度成为比所述凝结点高出超过(TC且40°C以下的温度。更优选使所述第一面的温度成为比所述凝结点高5°C 30°C的温度。通过减少第一面的加热温度以及要对第一面施加的热量，能够避免或抑制热量传递到第二面，从而能够防止或抑制第二面的温度上升。因此，能够可靠地使第二面的温度成为所述凝结点以下。因此，能够在可靠地防止或抑制第一面的蚀刻的同时，对第二面可靠地进行蚀刻。优选使所述第二面的温度成为比所述凝结点低0°C 10°C的温度。通过减小凝结点与第二面的温度之差，只要稍对第一面进行加热，就能够使第一面的温度超过所述凝结点。通过减少第一面的加热温度以及要对第一面施加的热量，能够 避免或抑制热量传递到第二面，从而能够防止或抑制第二面的温度上升。因此，能够可靠地使第二面的温度成为所述凝结点以下。因此，能够在可靠地防止或抑制第一面的蚀刻的同时，对第二面可靠地进行蚀刻。可以从与所述处理气氛存在的处理空间相连的搬入口将所述被处理基板搬入到所述处理空间中，从与所述处理空间相连的搬出口将所述被处理基板搬出，在所述搬入口的附近及所述搬出口的附近吸引气体。由此，在外部气体通过搬入口或搬出口而到达处理空间之前，能够在搬入口或搬出口的附近进行吸引而排气，从而能够防止外部气体流入到处理空间中。上述的流入外部气体的流量、流速伴随被处理基板的搬入及搬出而发生变动。即使存在这样的变动，通过上述的吸引也能够防止外部气体向处理气氛的混入，因此能够将处理气氛的气体组成以及氟化氢蒸气分压及水蒸气分压分别维持为与处理气体自身的组成及分压大致相同。其结果是，能够防止第二面的蚀刻处理变得不均匀的情况。并且，即使外部气体的湿度比处理气氛的湿度高，也能够防止第一面侧的处理气氛的湿度上升。因此，能够避免连第一面也被蚀刻的情况。本专利技术装置在压力接近大气压且湿度超过0%的处理空间内对被处理基板进行蚀亥IJ，该被处理基板含有含硅物，且具有第一面和该第一面的背侧的第二面，所述蚀刻装置的特征在于，具备喷出喷嘴，其将至少含有氟化氢及水这两者中的氟化氢的处理气体向所述处理空间内供给，并使该处理气体至少与所述被处理基板的所述第二面接触；调节机构，其以使所述第一面的温度成为比所述处理空间中的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使所述第二面的温度成为所述凝结点以下的温度的方式进行调节。来自喷出喷嘴的处理气体混合到处理空间内的处理气氛中。处理气体至少含有氟化氢及水这两者中的氟化氢，且处理空间的湿度超过0%，因此处理气氛含有氟化氢蒸气及水蒸气。该处理气氛与被处理物接触。此时，在被处理物的第二面，通过所述调节机构进行的所述凝结点与第二面的温度的关系调节，处理气氛中的氟化氢及水在被处理物的第二面上凝结而形成氢氟酸的凝结层。因此，引起构成第二面的含硅物的蚀刻反应，从而能够对第二面进行蚀刻(包括粗化)。另一方面，在被处理物的第一面上，通过所述调节机构进行的所述凝结点与第一面的温度的关系调节，能够避免处理气氛中的氟化氢及水在第一面上凝结的情况，从而避免形成氢氟酸的凝结层。因此，能够抑制或防止构成第一面的含硅物的蚀刻反应。所述处理空间的湿度只要超过O %即可，在100% RH以下为好。所述调节机构可以控制被处理基板的第一面的温度，也可以控制第二面的温度，还可以控制处理气体的氟化氢分压或水蒸气分压，还可以控制处理空间内的处理气氛的水蒸气分压，或者还可以控制流入到处理空间内的外部气体的水蒸气分压。优选所述调节机构包括加热器，该加热器在隔着所述处理空间中的配置有所述被处理基板的位置而与所述喷出喷嘴相反的一侧，与配置有所述被处理基板的位置接近配置，所述加热器的设定温度为比所述凝结点高出超过0°c且60°C以下的温度。由此，能够使被处理基板的第一面的温度可靠地成为比处理气氛的氟化氢及水的凝结点高的温度。通过减少第一面的加热温度以及要对第一面施加的热量，能够避免或抑 制热量传递到第二面，从而能够防止或抑制第二面的温度上升。因此，能够可靠地使第二面的温度成为所述凝结点以下。因此，能够在可靠地防止或抑制第一面的蚀刻的同时，对第二面可靠地进行蚀刻。在使被处理基板相对于所述喷出喷嘴相对移动的情况下，优选考虑其移动速度来设定所述加热器的设定温度。例如，在所述移动速度比较大时，使所述设定温度与所述第一面的所期望温度相比变得比较大。由此，能够缩短所述第一面到达所述所期望温度为止的所需时间。另一方面，由于移动速度比较大，因此能够在连第二面也未成为比所述凝结高的温度之前结束处理。在所述移动速度比较小时，可以使所述设定温度与所述所期望温度大致相同。由此，能够避免被处理基板的温度较大地超过所述所期望温度。另一方面，移动速度小时加热时间变长，但通过将所述设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本荣司，井上将男，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：