半导体装置的制造方法制造方法及图纸

从晶片加工用胶带良好地剥离半导体芯片，提高了拾取成功率。制造方法具有以下工序：在半导体晶片（13）上贴附晶片加工用胶带（10）后，将半导体晶片（13）切割为多个半导体芯片（11）；以及从晶片加工用胶带（10）拾取贴附于晶片加工用胶带（10）的半导体芯片（11），对于切割槽（M）的包围作为剥离对象的半导体芯片（11）的区域，在从晶片加工用胶带（10）的背面侧按压其整体或一部分后，从晶片加工用胶带（10）拾取半导体芯片（11）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于实现从切割时所保持的晶片加工用胶带良好地拾取半导体芯片的。
技术介绍
在IC等半导体装置的制造工序中，在形成有电路图案的半导体晶片的反面贴附了具有粘合性和伸缩性的半导体加工用胶带后，实施将半导体晶片切断(切割)为芯片单位的工序、和拾取(pick up)切断后的芯片的工序，进而实施将所拾取的芯片粘接到引线框或封装基板等，或者在堆叠封装中将半导体芯片彼此层叠、粘接的芯片粘贴(装配)工序。 作为在上述半导体装置的制造工序中使用的晶片加工用胶带，使用了层叠有粘合胶带和包含环氧树脂成分的热固化性的粘接剂层的切割晶片接合膜(dicing-die bondingfilm)。上述粘合胶带用于固定晶片，使得在切割半导体晶片的工序中被切断的芯片不会飞散，因此该粘合胶带具有固定晶片的高粘合力，但是在对一个个芯片进行拾取的工序中，必须从该粘合胶带剥离附着有粘接剂层的芯片。因此，以往在使晶片加工用胶带在晶片的径向和周向拉伸的状态下用扩展环保持晶片的周围，对于希望在上述状态下拾取的芯片，在利用吸附工作台吸附粘合胶带的背面的同时用可升降的销向上顶，从而使粘合胶带与粘接剂层之间剥离而进行芯片的拾取(例如，参照专利文献I)。此外，利用吸附挡块的上表面吸附粘合胶带的背面，并用可从吸附挡块的上表面突出、且配置在同心圆上的多个顶块仅上推并支承拾取对象的芯片，并且从上方用吸附夹将该芯片吸附到上方，通过使内侧的块逐渐上升使得最终成为中心的顶块最突出的状态，由此进行了晶片加工用胶带的剥离(例如，参照专利文献2)。现有专利文献专利文献专利文献I :W02006/104151小册子专利文献2 :日本特开2005 - 117019号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在专利文献I记载的拾取方式中，存在如下问题在切割晶片的工序中产生的粘接剂层T3的灰尘D在跨越待分离的粘合剂层T2和粘接剂层T3的状态下附着于它们，从而产生拾取不良的问题。在专利文献2记载的拾取方式中，对专利文献I的拾取方式的拾取不良进行了改善，但是晶片加工用胶带T的粘接剂层T3根据芯片Wl的多级层化的要求而处于软化的趋势，其结果，在切割晶片的工序中粘接剂层T3的灰尘D容易向周围飞散，从而产生拾取的成功率降低的问题。本专利技术的目的在于从晶片加工用胶带良好地剥离半导体芯片。解决问题的手段专利技术人等为了解决上述问题而进行了深刻研究的结果是着眼于以下情况在从晶片加工用胶带拾取半导体芯片前，从晶片加工用胶带的背面侧按压切割槽包围该半导体芯片的区域的全部或一部分。通过进行上述按压，发现附着于各部件的灰尘容易剥脱。即本专利技术利用如下的制造方法，解决了本申请专利技术的问题(I) 一种，其特征在于，具有以下工序在半导体晶片上贴附晶片加工用胶带后，对所述半导体晶片进行切割，分割为多个半导体芯片；以及从所述晶片加工用胶带拾取贴附于所述晶片加工用胶带的所述多个半导体芯片中的作为剥离对象的半导体芯片，对于切割槽的包围作为剥离对象的所述半导体芯片的区域，在从所述晶片加工用胶带的背面侧按压其整体或一部分后，从所述晶片加工用胶带拾取所述半导体芯片。(2)根据第I方面所述的，其特征在于，所述切割槽的包围半导体芯片的区域的按压利用沿着该区域的形状的框来进行。(3)根据第I方面所述的，其特征在于，所述切割槽的包围半导体芯片的区域的按压利用沿着该区域配置的多个销来进行。(4)根据第I 3方面中的任意一项所述的，其特征在于，所述切割槽的包围半导体芯片的区域的按压以多个半导体芯片单位来进行。另外，上述“切割槽的包围作为剥离对象的所述半导体芯片的区域”不是指被切割槽包围的区域，而是表示整个晶片的整个切割槽内的、包围剥离对象的半导体芯片的切割槽的一部分。专利技术效果根据本申请专利技术，在从晶片加工用胶带剥离半导体芯片前，通过从晶片加工用胶带侧按压该半导体芯片周围的切割槽的全部或一部分，使得附着于各部件的灰尘容易剥脱，其结果，在相对于晶片加工用胶带的半导体芯片的拾取时，抑制了由灰尘造成的阻碍，拾取作业的成功率提高。附图说明图I是示出在切割晶片接合膜上贴合半导体晶片和切割用环框后的情形的图。图2是示出切割工序的说明图。图3是用于说明放射线照射工序的图。图4是示出拾取装置的主要部分的部分剖视图。图5示出从第一按压部件中的销的上方观察到的配置的俯视图。图6是示出四根销对按压对象的矩形半导体芯片进行按压的位置的俯视图。图7是示出使按压部件上升后的状态的动作说明图。图8A是示出第二按压部件的各销对半导体芯片进行按压前的状态的放大剖视图。图SB是示出半导体芯片的按压后的状态的放大剖视图。图9是示出其他实施方式中的拾取装置的剖视图。图10是吸附头的俯视图。图11是吸附头的沿着垂直面的剖视图。图12是打开了活动盖的状态下的吸附头的沿着垂直面的剖视图。图13是示出其他实施方式中的拾取装置的吸附头的俯视图。图14是吸附头的沿着垂直面的剖视图。图15A是使用了与多个半导体芯片对应的销的按压部件的俯视图。 图15B是使用了与多个半导体芯片对应的框构造的按压部件的俯视图。图16是用一个销进行按压的按压部件的说明图。图17是示出现有技术中的切割引起的灰尘的产生状态的切割晶片接合膜和半导体芯片的剖视图。具体实施例方式根据图I至图SB对本专利技术的实施方式的进行说明。在该实施方式中，主要对具有如下特征的工序进行说明对半导体晶片的反面(集成电路形成面的相反侧的面)贴合作为晶片加工用胶带的切割晶片接合膜而进行切割，之后一个个地拾取半导体芯片。在进行的说明之前，首先对切割晶片接合膜10的结构进行说明。图I是示出在切割晶片接合膜上贴合半导体晶片和切割用环框后的情形的图。该切割晶片接合膜10在基材膜I上层叠设置中间树脂层2，在该中间树脂层2之上层叠设置粘合剂层3，并在粘合剂层3之上层叠设置粘接剂层4，在切割时，在粘接剂层4上安装半导体晶片11。另外，在图I中，为了便于说明，图示为使切割晶片接合膜10的各结构具有比实际厚的厚度。作为基材膜1，可以使用公知的塑料、橡胶等作为切割晶片接合膜，此处使用了热塑性的塑料膜作为基材膜。此外，优选为放射线透射性的膜，尤其在粘合剂层使用放射线固化性的粘合剂的情况下，需要选择该粘合剂固化的波长处的放射线透射性良好的膜。从强伸展率特性、放射线透射性的观点出发，基材膜的厚度通常为30 300 μ m合适。中间树脂层2没有特别限制，只要比粘合剂层3硬即可。为了抑制切割时芯片的裂开/缺口(碎屑)，中间树脂层2使用适当的弹性模量的材料。在基材膜上涂敷包含粘合成分和固化成分的混合物后，使其固化，由此设置中间树脂层2。粘合成分可使用丙烯酸系、聚酯系、氨基甲酸酯系、硅酮系、天然橡胶系等各种通用粘合剂。作为固化剂，是从多异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂和环氧树脂中选择的化合物，可单独使用或组合两种以上使用。并且，也可以通过使中间树脂层2具有放射线固化性，在切割后通过放射线固化使中间树脂层2固化收缩来提高芯片的拾取性。中间树脂层2的厚度优选为至少5 μ m，更优选为10 μ m以上。粘合剂层3没有特别限制，只要具有在切割时不产生与粘接剂层4的芯片飞散等的不良的程度的保持性、和在拾取时容易与粘接剂层4剥离的特性即可。为了提高切割后的拾取性，粘合剂层3优选为放射线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：建部一贵，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：