电子部件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种电子部件的制造方法，其在使用粘合片制造电子部件时，通过将该粘合片中带电的电荷在短时间内有效地除电，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。本发明专利技术为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS?L1094的电荷衰减测定法测定，该制造方法至少具有以下工序：将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和在除电后的前述粘合剂层上贴合电子部件的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜、且具有除电效果的粘合片的。
技术介绍
近年来，伴随着以半导体装置为代表的电子部件的高精密化、高集成化，存在制造工序中电子部件的带电会影响其后的特性的担心。例如，在半导体装置的制造工序中切割半导体晶圆时，在该半导体晶圆的背面贴合切割用的粘合片而进行。该粘合片是例如在基材上依次层叠有粘合剂层和隔离膜的结构。隔离膜在使用粘合片时被剥离，在剥离时有时会在分离成2个的隔离膜和粘合剂层的表面产生电荷而带电。将半导体晶圆贴合在这种带电状态的粘合剂层上的情况下，有时会引起对前述半导体晶圆的放电。其结果，根据不同情况，存在形成于半导体晶圆表面的电路被破坏而不能正常工作的问题。 针对该问题，在下述专利文献I中公开了通过在粘合剂层中添加表面活性剂等抗静电剂，使粘合剂层表面的带电电荷量减少的专利技术。但是，近年来，从作为电子部件的半导体装置的角度来看，小型化飞速发展，抗静电、以及为了能够进行精密的加工的加工时的半导体晶圆的保持性变得重要。以往添加抗静电剂的粘合剂层中，有时抗静电剂偏析在粘合剂层表面，从而粘合力降低，不能进行精密的加工。另外，仅添加抗静电剂有时粘合剂层表面的带电电位的降低不充分，依然有半导体晶圆表面的电路破坏，导致不能正常工作的担忧。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-285134号公报
技术实现思路
_7] 专利技术要解决的问题 本专利技术鉴于前述问题点而进行，其目的在于，提供一种，其中，在使用粘合片制造电子部件时，通过短时间内有效地除去该粘合片上带电的电荷，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。_9] 用于解决问题的方案本申请专利技术人等为了解决前述现有的问题，对进行了研究。结果发现，通过采用下述构成，可解决前述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的的特征在于，其是为了解决前述课题，使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的，其中，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，该方法至少具有以下工序将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和将电子部件贴合在除电后的前述粘合剂层上的工序。在用隔离膜保护表面的粘合剂层中，存在剥离隔离膜时在粘合剂层表面带有电荷的情况。对于该带电电荷，可通过在将电子部件贴合于粘合剂层之前进行除电来除去或减少。在此处，本专利技术中，作为粘合片，使用具有表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合剂层的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L 1094的电荷衰减测定法测定。为这种粘合片时，能够在短时间内高效地进行粘合剂层表面的除电，因此在将电子部件粘附在粘合剂层上时也能够充分抑制对电子部件的放电。其结果，可谋求电子部件的制造产量的提高。在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用在前述粘合剂层中相对于其基础聚合物100重量份添加有0. 01重量份 30重量份范围内的离子液体的粘合片。如果为在粘合剂层中添加有离子液体的粘合片，则可赋予该粘合剂层以导电性。其结果，即使由隔离膜的剥离而导致在粘合剂层表面带有电荷，也能够促进放电，因此除电变得容易。另外，由于离子液体能够在粘合剂层中均匀地存在，因此可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。在此处，通过将离子液体的添加量相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为0. 01重量份以上，可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。另一方面，通过将前述添加量 相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为30重量份以下，可防止将粘合片从电子部件剥离时的污染。在前述构成中，前述粘合片的前述粘合剂层中的基础聚合物至少由以下成分形成由具有碳数广14的烷基的丙烯酸酯、或具有碳数f 14的烷基的甲基丙烯酸酯中的至少任一种形成的丙烯酸系聚合物；和极性高的单体，对于前述极性高的单体而言，相对于前述丙烯酸系聚合物100重量份，优选配混0. I重量份以上。通过使用相对于前述丙烯酸系聚合物100重量份配混了极性高的聚合物0. I重量份以上的粘合片，可提高基础聚合物和离子液体的相容性。由此，可防止离子液体向粘合剂层表面偏析，可抑制粘合剂层的粘合力的降低。其结果，进行电子部件的加工，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现产量的进一步的提高。在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用属于前述粘合剂层的构成成分的基础聚合物的酸值为广200的粘合片。通过使前述基础聚合物的酸值为I以上，可抑制粘合剂层的粘合力降低。其结果，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现产量的进一步提高。另一方面，通过使前述酸值为200以下，可维持高的粘合性。其中，前述酸值是指，中和Ig试样中所含的COOH基所需的氢氧化钾的mg数。另外，在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用属于前述粘合剂层的构成成分的基础聚合物具有羧基的粘合片。使用含羧基的聚合物作为基础聚合物时，可提高粘合剂层的粘合力。其结果，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现广量的进一步提闻。优选的是，在前述构成中，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的构成成分为辐射线聚合性的低聚物的粘合片。进而优选的是，在前述构成中，作为前述粘合片，使用前述隔离膜为聚烯烃薄膜或聚酯薄膜的粘合片。另外，本专利技术的粘合片的特征在于，为了解决前述课题而用于前述中。专利技术的效果本专利技术使用具有表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合剂层的粘合片来制造电子部件，所述半衰期利用基于JISL1094的电荷衰减测定法测定。如果前述带电电荷半衰期为900秒以下，则在除去隔离膜剥离后的粘合剂层表面的带电电荷时，可短时间内有效地对整个粘合剂层表面进行除电。由此，在粘合剂层上粘附例如半导体晶圆等电子部件时，对电子部件的放电也受到抑制，可谋求提高电子部件的制造产量。附图说明图I是用于说明本专利技术的一个实施方式的的示意图。图2是表示本专利技术的实施例等中用于测定剥离带电电压的电位测定部的构成示意图。 具体实施例方式以下对本专利技术的一个实施方式的进行说明。图I是示意性地表示本实施方式的的说明图。如图I的(a)所示，本实施方式的使用在基材11上至少依次层叠有粘合剂层12和隔离膜13的粘合片10。更具体而言，至少具有以下工序将隔离膜13从前述粘合片10中的粘合剂层12剥离的工序；和除去前述粘合剂层12的表面的带电电荷的工序；和在除电后的如述粘合剂层12上贴合电子部件14的工序。对该制造方法中的电子部件没有特别限定，可使用公知的电子部件。作为电子部件的具体例，可列举出例如，以硅、镓-砷、锗、氮化镓等为构成材料的半导体、半导体晶圆，将其集成 封入所得的半导体封装体，以及以红宝石、玻璃、陶瓷等为构成材料的基板等。以下，将半导体晶圆作为电子部件的例子，对本实施方式进行说明，但电子部件并不限定于半导体晶圆。首先，将隔离膜13从粘合片10的粘合剂层12上剥离。此时，粘合剂层12的表面和隔离膜13带有电荷。作为剥离方法没有特别限定，由于增大剥离速度来剥离隔离膜13的情况下粘合剂层12和隔离膜13各自带电的电荷量会增大，因此优选减小剥离速度来剥离隔离膜13。对于剥离条件，具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：东别府优树，山本晃好，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：