有效晶圆布局的偏移场网格制造技术

提供了用于有效晶圆布局的技术，其包含使用偏移网格来优化对可用晶圆空间的使用。这样，相对于标准垂直网格，在晶圆上可制造的相同裸芯片数量可增大。通过添加附加的配准标记，实现了可在何处印刷场的每行/列的灵活性的增大。这个增大的自由度等级又允许优化每行/列可含有的裸芯片数量，并直接转化成每个晶圆的产出裸芯片数量的增大。此外，提供了允许以非笛卡尔坐标方式将单独裸芯片切片的技术。然而，在对偏移网格线给予关注的情况下，也可使用常规分割技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有效晶圆布局的偏移场网格
技术介绍
半导体晶圆(诸如硅、锗和III-V材料晶圆)被用在集成电路的制造中，其中晶圆有效地充当衬底，在其上可使用各种半导体工艺(诸如光线光刻(例如图案形成、蚀刻、沉积等)、外延生长、掺杂、抛光和其它此类已知工艺)形成微电子装置。通常，在单个晶圆上形成若干相同的电子装置，范围从每个晶圆数十到每个晶圆数百甚至到每个晶圆数千个装置，取决于装置裸芯片的尺寸。一旦在晶圆上形成了，就可使用各种晶圆探测技术以电的方式测试这些装置并且然后将它们分类成合格裸芯片和不合格裸芯片。晶圆然后可被分割成单独裸芯片。可使用 已知技术(诸如划片和断开、切片或线状锯或激光切割)来执行分割工艺。垂直笛卡尔网格用于划出单独裸芯片，使得在分割工艺期间在这个标准网格上能以线性方式切割裸芯片。在分割工艺之后，单独裸芯片然后可被封装到适当的芯片封装中，以提供分立集成电路。附图说明图Ia例证了由于需要在线性笛卡尔系中对齐每个场而在印刷晶圆上浪费的空间。图Ib例证了根据本专利技术一实施例配置有场的行和列的非笛卡尔网格的晶圆。图2a例证了角配准标记，并且图2b例证了由四个角配准标记在一起形成的配准图案。图3例证本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.23 US 12/646,4591.一种方法，包括 接收其上形成有多个相同裸芯片的晶圆，所述晶圆具有场的偏移网格，每个场由一个或多个裸芯片构成； 将所述晶圆粘附到切片带；以及 将所述晶圆切成单独裸芯片。2.如权利要求I所述的方法，其中将所述晶圆切成单独裸芯片包括 对所述晶圆进行激光划片以提供划线用于随后切片。3.如权利要求2所述的方法，其中完成为了提供划线而对所述晶圆进行的激光划片，同时保持所述晶圆每个单位面积一致的激光脉冲，所述晶圆每个单位面积的所述激光脉冲变化20%或更少。4.如权利要求2所述的方法，其中将所述晶圆切成单独裸芯片包括 沿X轴或Y轴中的一个轴中的划线进行切片，以致切穿所述晶圆并部分地进入所述切片带，由此产生多个晶圆条。5.如权利要求4所述的方法，其中将所述晶圆切成单独裸芯片包括 暂时从所述切片带搬走晶圆条，并将它向下放置回到所述切片带上，但与其相邻条对齐； 重复所述暂时搬走和放置，直到场的所述偏移网格被有效地转换成笛卡尔网格。6.如权利要求5所述的方法，其中将所述晶圆切成单独裸芯片包括 沿X轴或Y轴中的另一个轴中的划线进行切片，以致切穿所述晶圆并部分地进入所述切片带，由此产生多个分割的裸芯片。7.—种半导体晶圆,包括 场的行和列的非笛卡尔网格，其中，或者多个所述行彼此偏移，或者多个所述列彼此偏移；以及 在所述晶圆上形成的多个相同的裸芯片，每个场包含一个或多个所述裸芯片。8.如权利要求7所述的半导体晶圆，还包括 围绕每个场的场划痕，其中每个场划痕的至少一侧包含角配准标记和所述角配准标记之间的中间配准标记，其中，一个场的所述角...

【专利技术属性】
技术研发人员：A瓦雷拉，TL哈林，DE文莱尔，
申请(专利权)人：A瓦雷拉，TL哈林，DE文莱尔，
类型：发明
国别省市：