【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及MOSFET及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能，半导体器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向发展，因此， MOSFET (金属-氧化层-半导体场效晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,M0SFET)的栅极变得越来越细且长度变得比以往更短。为了获得较好的电学性能，通常需要通过控制载流子迁移率来提高半导体器件性能。该技术的一个关键要素是控制晶体管沟道中的应力。比如适当控制应力，提高载流子(η-沟道晶体管中的电子，P-沟道晶体管中的空穴)迁移率，就能提闻驱动电流。应力技术在NMOS晶体管内形成张应力衬垫层(tensile stress liner),在PMOS 晶体管内形成压应力衬垫层(compressive stress liner),从而增大了 PMOS晶体管和 NMOS晶体管的驱动电流，提闻了电路的响应速度。据研究，使用应力技术的集成电路能够带来24 %的速度提升。在公开号为U...
【技术保护点】
一种MOSFET的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构；其特征在于，还包括：在栅极结构两侧和底部的衬底内形成通道，在与栅极结构对应的通道底部具有脊；形成填充所述通道的应力层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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