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一种MOSFET及其形成方法，其中，MOSFET包括：衬底，所述衬底表面具有栅极结构；位于所述栅极结构两侧和底部的衬底内的通道，在与栅极结构对应的通道底部具有脊；填充所述通道的应力层。本发明实施例的MOSFET应力层内部没有空隙或空洞，本发...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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