【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术通常涉及半导体技术，更具体地涉及一种新型的晶体管和包括该晶体管的半导体芯片。
技术介绍
如图I所示，在诸如MOS晶体管的制作过程中，在形成栅堆叠以及源漏区102之后，需要在源漏区102上形成金属硅化物接触，以便在晶体管源漏区和生产线后道工艺的钨金属接触孔之间提供低阻连接。形成金属硅化物接触的具体步骤是，形成源漏区之后，在整个半导体结构表面(包括栅堆叠、侧墙111、源漏区102以及浅沟槽隔离STI 110)上淀积一层金属，例如镍或者镍的合金层，之后进行退火，使得在晶体管源漏区102的表面内形成一定厚度的镍的硅化物层103，例如NiSi。该镍的硅化物层103能够降低源漏接触电阻。但是在工艺过程中同时产生了下面的问题即，随着晶体管不断等比例微缩，栅极与作为源漏接触孔的钨金属接触孔之间距离越来越小，造成源漏延伸区108之间的沟道区与作为接触区域的镍的硅化物层103之间距离成比例微缩，这样增大了镍的硅化物层103中的镍、甚至于沉积在侧墙111上的镍或镍的合金层107中过多的镍经由源漏延伸区108进入沟道区的几率，而形成漏电通道并妨碍成品率。在图I中示出了在正对侧墙1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.06 CN 201110188060.7的精神和范围内所包括的各种修改和等同变型。以下权利要求的范围符合最广泛解释，以便包含所有这样的修改及等同变型。权利要求1.一种晶体管，包括位于半导体衬底上的有源区，位于所述有源区上的栅叠层、主侧墙和源漏区，其中所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述主侧墙的两侧，其特征在于，所述晶体管还包括硅化物侧墙，所述硅化物侧墙位于所述主侧墙的两侧，并且沿所述栅堆叠的宽度方向上所述硅化物侧墙的端部之间填充有介质材料，以使得所述源漏区隔离，其中所述源漏区的表面上还包括金属硅化物层...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，罗军，朱慧珑，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：
国别省市：
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