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本发明公开了一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，包括提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成第一导电类型外延层；在外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且体区之间形成有预定间隔区域；在每一体区...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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