一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法技术

本发明专利技术的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结，具有自调制效应，形成良好的软恢复特性；此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片，在加工过程中不易碎片；此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本发明专利技术的含阴极辅助的快恢复二极管材料片，与传统的外延片加工相比，具有良好的快速、软恢复特性，成本更低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
含阴极辅助的快恢复二极管材料片，其结构包括：如图2，在低掺杂的N‑单晶硅片（D）的下面通过掺杂形成10‑20um厚的N层（C），在N层涂覆磷乳胶源（A），通过乳胶源粘附一片N型单晶片（B），通过热氧化方式使两片硅片结合在一起，同时在N层内形成4‑6um的N+区（E），将N‑层（D）减薄到20‑80um。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王国峰，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31