【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种电子束准直装置及电子束准直系统。
技术介绍
在传统半导体材料中，目前实现电子束准直主要采用半导体量子阱结构，具体来说，将电子限制在纳米尺寸的半导体量子阱结构的沟道中，使电子只能沿该沟道运动，达到让电子束准直传输的目的。但是，由于电子的量子力学效应，电子总是存在一个有限的横向动量。当电子束在半导体量子阱结构中传输时，其可以达到准直效果，但是，在其输出半导体量子阱结构后，由于其横向动量，会导致其运动方向在一定程度上偏移原来的轨道，最终造成准直效果不佳。综上所述，现有技术中利用半导体量子阱结构实现电子束准直存在准直效果较差的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子束准直装置及电子束准直系统，以解决现有技术中利用半导体量子阱结构实现电子束准直时存在的准直效果较差的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种电子束准直装置，包括准直模块，该准直模块包括叠在一起的...
【技术保护点】
一种电子束准直装置，其特征在于，包括准直模块，该准直模块包括叠在一起的三层外尔半金属薄膜，所述三层外尔半金属薄膜中位于两侧的两层外尔半金属薄膜为相同的薄膜，且位于中间的外尔半金属薄膜与位于两侧的外尔半金属薄膜的外尔节点能量不同，以由垂直所述外尔半金属薄膜射入所述准直模块且能量在预设能量范围内的电子中获取横向动量在预设动量范围内的电子并射出。
【技术特征摘要】
1.一种电子束准直装置，其特征在于，包括准直模块，该准直模块包括
叠在一起的三层外尔半金属薄膜，所述三层外尔半金属薄膜中位于两侧的两
层外尔半金属薄膜为相同的薄膜，且位于中间的外尔半金属薄膜与位于两侧
的外尔半金属薄膜的外尔节点能量不同，以由垂直所述外尔半金属薄膜射入
所述准直模块且能量在预设能量范围内的电子中获取横向动量在预设动量范
围内的电子并射出。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述三层外尔半金属薄膜
中位于中间的外尔半金属薄膜为三元合金外尔半金属薄膜，位于两侧的两层
外尔半金属薄膜为二元合金外尔半金属薄膜。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述三层外尔半金属薄膜
中位于中间的外尔半金属薄膜的厚度为m-8-m-6量级的厚度。
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