【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带电粒子光刻系统和射束产生器
本专利技术涉及一种带电粒子射束产生器。本专利技术进一步涉及一种带电粒子射束光刻系统。
技术介绍
在半导体工业中,越来越需要以高精确性与可靠度来制造更小的结构。光刻术是此种制造过程的关键部分。目前,大部分的商用光刻系统使用光射束和掩膜作为再生用于曝光目标的图案数据的构件,例如,其上有光阻涂层的晶圆。在无掩膜的光刻系统中,可能会使用带电粒子子射束(chargedparticlebeamlet)将图案转印至此目标上。该子射束可以个别控制,用于取得所希望的图案。然而,为让这样的带电粒子光刻系统具有商业可行性(commerciallyviable),它们必须应付特定的最小生产量,也就是,每小时所处理的晶圆的数量不应该太低于目前利用光学光刻系统所处理的每小时的晶圆的数量。再者,该带电粒子光刻系统还必须符合低误差容限(lowerrormargin)。相对高的生产量以及符合低误差容限的需求的组合具有挑战性。藉由使用更多的子射束可以获得较高的生产量,且所以,需要更多的电流。然而,操控较大数量的子射束却导致需要更多的控制电路系统。再者,提高电流会导致更多的带电粒子,其与该光刻系统中的器件产生相互作用。该电路系统以及带电粒子撞击器件两者都可能导致该光刻系统里各个器件的加热。该加热可能降低该光刻系统内的图案化处理的精确性。在最糟的情况中,这种加热可能会阻止该光刻系统内的一或多个器件使其无法发挥功能。再者,使用大量的子射束会提高因为该子射束之间的相互作用(举例来说,库仑相互作用(Coulombinteraction))所造成的无法接受的不精确性的风险。 ...
【技术保护点】
一种用于曝光目标(13)的带电粒子光刻系统(1),所述系统包括:带电粒子射束产生器,用于产生带电粒子射束;孔径阵列(6),用于从所述带电粒子射束形成多个子射束;以及子射束投射器(12),用于将所述子射束投射于所述目标的表面上,其中,所述带电粒子射束产生器包括:带电粒子源(3),用于产生发散的带电粒子射束;准直器系统(5a、5b、5c、5d;72;300),用于折射所述发散的带电粒子射束;以及冷却配置(203),用于移除来自所述准直器系统的热量,所述冷却配置包括包围所述准直器系统的至少一部分的主体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.14 US 61/646,8391.一种用于曝光目标(13)的带电粒子光刻系统(1),所述系统包括:带电粒子射束产生器,用于产生带电粒子射束;孔径阵列(6),用于从所述带电粒子射束形成多个子射束;以及子射束投射器(12),用于将所述子射束投射于所述目标的表面上,其中,所述带电粒子射束产生器包括:带电粒子源(3),用于产生发散的带电粒子射束;准直器系统(5a、5b、5c、5d;72;300),用于折射所述发散的带电粒子射束,其中所述准直器系统包括其中具有凹陷的主体,所述凹陷包括电极,所述凹陷的表面充当Einzel透镜的外电极(5a,5c),所述外电极(5a,5c)包括上电极(5a)和下电极(5c);以及冷却配置(203),用于移除来自所述准直器系统的热量,其中所述冷却配置由所述主体形成,其中所述主体包括一个或多个冷却通道,其被设置成容纳用于冷却一个或多个电极的冷却流体流。2.根据权利要求1所述的光刻系统,其中,所述Einzel透镜包括三个电极(5a、5b、5c)。3.根据权利要求2所述的光刻系统,其中,所述Einzel透镜的所述三个电极(5a、5b、5c)包括上电极(5a)、下电极(5c)和中央电极(5b)。4.根据权利要求3所述的光刻系统,其中,所述主体的内表面限定凹腔,所述内表面用作所述上电极和下电极(5a、5c)。5.根据权利要求1所述的光刻系统,其中,所述带电粒子源被放置在第一真空腔室(102)中,且其中所述准直器系统与所述冷却配置被放置在第二真空腔室(103)中。6.根据权利要求1所述的光刻系统,其中,所述射束产生器被包含在所述光刻系统的曝光真空腔室内。7.根据权利要求1所述的光刻系统,其中,所述冷却配置和所述准直器系统的至少一部分集成。8.根据权利要求1所述的光刻系统,其中,所述准直器系统形成具有被大部分封闭的壁部的腔室。9.根据权利要求3或4所述的光刻系统,其中,所述Einzel透镜的至少所述上电极(5a)设置有用于导送所述冷却流体的所述一个或多个冷却通道。10.根据权利要求9所述的光刻系统,其中所述一个或多个冷却通道的至少一部分在使用期间在面对带电粒子射束的电极表面处或者接近面对带电粒子射束的电极表面处在基本上垂直的方向上延伸。11.根据权利要求3或4所述的光刻系统,其中所述Einzel透镜的所述上电极和所述下电极包括用于导送所述冷却流体的所述一个或多个冷却通道。12.根据权利要求9所述的光刻系统,其中所述冷却流体是液体。13.根据权利要求9所述的光刻系统,其中所述冷却通道的至少一部分在使用期间在远离所述带电粒子射束的光轴的径向方向上并且基本上垂直于所述带电粒子射束的光轴的径向方向上延伸。14.根据权利要求3所述的光刻系统,其中所述上电...
【专利技术属性】
技术研发人员:AHV范维恩,WH厄尔巴努斯,
申请(专利权)人:迈普尔平版印刷IP有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。