曝光装置及曝光方法制造方法及图纸

本发明专利技术使用多根带电粒子束，减小每根粒子束的照射时机的误差从而形成复杂且微细的图案。本发明专利技术提供一种曝光装置，其在样品上曝光图案，包括：多个消隐电极，与多根带电粒子束对应设置，根据输入电压而分别切换是否对样品照射对应的带电粒子束；照射控制部，输出用来切换对多个消隐电极分别提供的消隐电压的切换信号；及测量部，针对多个消隐电极分别测量从切换信号的变化到消隐电压的变化为止的延迟量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光装置及曝光方法。
技术介绍
以往，已知如下的互补光刻法：通过对利用线宽为数十纳米左右的光曝光技术形成的单纯的线图案，使用利用电子束等带电粒子束的曝光技术进行加工，从而形成微细的配线图案(例如参照专利文献1及2)。另外，也已知使用多根带电粒子束的多粒子束曝光技术(例如参照专利文献3及4)。专利文献1：日本专利特开2013-16744号公报专利文献2：日本专利特开2013-157547号公报专利文献3：美国专利第7276714号说明书专利文献4：日本专利特开2013-93566号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]在现有技术中，在使用单独切换多根带电粒子束的ON/OFF(接通/断开)状态而使图案曝光的多电子束曝光技术的情况下，难以测量并调整各带电粒子束照射样品的时机。然而，由于受到制造工艺上的偏差等的影响，用来切换是否照射带电粒子束的消隐电极及配线的尺寸精度及配置精度等会产生安装误差。伴随配线图案的微细化，这种安装误差的影响不断变大，每根电子束的照射时机产生的偏差，可能成为曝光位置及曝光量的误差的主要原因。[解决问题的手段]在本专利技术的第一实施方式中，提供一种曝光装置，其在样品上曝光图案，包括：多个消隐电极，与多根带电粒子束对应设置，根据输入电压而分别切换是否对样品照射对应的带电粒子束；照射控制部，输出用来切换对多个消隐电极分别提供的消隐电压的切换信号；及测量部，针对多个消隐电极分别测量从切换信号的变化到消隐电压的变化为止的延迟量。测量部也可包括：基准电压产生部，产生基准电压；及延迟量检测部，针对多个消隐电极分别检测从切换信号的变化到消隐电压到达基准电压为止的延迟量。基准电压产生部也可依次变更地产生基准电压，且延迟量检测部针对多个消隐电极，分别相应于基准电压发生变更而检测从切换信号的变化到消隐电压到达基准电压为止的延迟量。照射控制部也可包括时机调整部，所述时机调整部单独地调整切换信号对多个消隐电极各自的输出时机。时机调整部也可针对多个消隐电极，分别以使消隐电压在预先规定的时机到达预先规定的阈值电压的方式，单独地调整切换信号的输出时机。所述曝光装置也可包括多个驱动电路，所述多个驱动电路与多个消隐电极对应设置，分别输出与针对各个消隐电极的切换信号相对应的消隐电压。多个驱动电路也可包括时间调整部，所述时间调整部单独地调整多个驱动电路各自输出的消隐电压的过渡时间。在本专利技术的第二实施方式中，提供一种曝光方法，其用于在样品上曝光图案的曝光装置，包括：照射控制阶段，输出用来切换对多个消隐电极分别提供的消隐电压的切换信号，所述多个消隐电极与多根带电粒子束对应设置，且根据输入电压而分别切换是否对样品上照射对应的带电粒子束；及测量阶段，针对多个消隐电极分别测量从切换信号的变化到消隐电压的变化为止的延迟量。测量阶段也可包括：基准电压产生阶段，产生基准电压；及检测阶段，针对多个消隐电极分别检测从切换信号的变化到消隐电压到达基准电压为止的延迟量。基准电压产生阶段也可依次变更地产生基准电压，且检测阶段针对多个消隐电极，分别相应于基准电压发生变更，从而检测从切换信号的变化到消隐电压到达基准电压为止的延迟量。所述方法也可还包括调整阶段，所述调整阶段针对多个消隐电极，分别调整消隐电压变为预先规定的阈值电压的时间。调整阶段也可包括时机调整阶段，所述时机调整阶段针对多个消隐电极，分别单独地调整切换信号的输出时机。曝光装置也可包括多个驱动电路，所述多个驱动电路与多个消隐电极对应设置，且分别输出与针对各个消隐电极的切换信号相对应的消隐电压；且调整阶段包括时间调整阶段，所述时间调整阶段针对多个消隐电极，分别单独地调整多个驱动电路各自输出的消隐电压的过渡时间。此外，所述
技术实现思路
并未列举所有本专利技术所必需的特征。另外，这些特征群组的下位组合也有可能涵盖在本专利技术中。附图说明图1表示本专利技术实施方式的曝光装置100的构成例。图2表示由本专利技术实施方式的曝光装置100扫描阵列电子束而形成在样品10的表面的一部分的可照射区域200的示例。图3表示本专利技术实施方式的曝光装置100的动作流程。图4表示应形成在样品10的切断图案的信息的示例。图5表示本专利技术实施方式的扫描控制部190使阵列电子束的照射位置移动到边框的开始点的情况的示例。图6表示本专利技术实施方式的选择部160的示例。图7表示本专利技术实施方式的曝光控制部140对消隐电极64输出的控制信号的时机图的示例。图8表示形成在样品10的表面的线图案802的示例。图9表示形成在样品10的表面的配线图案900的示例。图10表示形成有不同线宽及不同线间隔的线图案的样品10的示例。图11表示使本专利技术实施方式的电子束的照射区域502与栅格800相对应配置的示例。图12表示本专利技术实施方式的消隐部60的示例。图13表示对消隐电极64提供的消隐电压的示例。图14表示本专利技术实施方式的曝光装置100的构成例。图15表示本专利技术实施方式的测量部1100的构成例。图16表示本专利技术实施方式的消隐电压波形的测量流程的示例。图17表示本专利技术实施方式的曝光装置100的调整流程的示例。图18表示时间调整部1720对于电子束B1及电子束B2的时间调整条件与消隐电压的过渡时间的关系的示例。图19表示本专利技术实施方式的应用了时机调整部1710的调整的消隐电压的示例。图20表示本专利技术实施方式的应用了时机调整部1710及时间调整部1720的调整的消隐电压的示例。[符号的说明]10样品20电子枪30孔径板32开口40电子束形状变形部50孔径阵列52开口60消隐部62开口62a第1开口62b第2开口64消隐电极64a第1消隐电极64b第2消隐电极66共用电极68电极配线69中继端子70挡板72开口80偏向部90外部存储部100曝光装置110平台部114检测部120管柱部130CPU132总线140曝光控制部150存储部160选择部162数据转换电路164电子束选择电路166经过时间运算电路170照射控制部172驱动电路180偏向量决定部182偏向部驱动电路190扫描控制部192平台驱动电路200可照射区域210照射位置220区域232第1边框234第2边框236第3边框400栅格402线图案410第1图案412、414、416、418图案420第2图案422、424图案430第3图案432、434、436、438图案500阵列电子束502照射区域800栅格802、804、806线图案810、820、830、832切断图案900配线图案1100测量部1120基准电压产生部1140比较部1160延迟量检测部1710时机调整部1720时间调整部具体实施方式以下，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，但以下的实施方式并不限定权利要求书的保护范围。另外，实施方式中所说明的所有特征的组合未必为本专利技术的解决手段所必需的。图1表示本专利技术实施方式的曝光装置100的构成例。曝光装置100对与样品上的线图案相对应的位置，照射具有与栅格相应的照射区域的带电粒子束而使该线图案曝光，所述线图案是基于预先规定的所述栅格以不同线宽及不同间距而形成。曝光装置100包括平台部110、检测部114、管柱部120、CPU(CentralProcessingUnit，中央处理器)130本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置，其在样品上曝光图案，其特征在于，包括：多个消隐电极，与多根带电粒子束对应设置，根据输入电压而分别切换是否对样品照射对应的带电粒子束；照射控制部，输出用来切换对所述多个消隐电极分别提供的消隐电压的切换信号；及测量部，针对所述多个消隐电极分别测量从切换信号的变化到消隐电压的变化为止的延迟量。

【技术特征摘要】
2015.09.24 JP 2015-1870451.一种曝光装置，其在样品上曝光图案，其特征在于，包括：多个消隐电极，与多根带电粒子束对应设置，根据输入电压而分别切换是否对样品照射对应的带电粒子束；照射控制部，输出用来切换对所述多个消隐电极分别提供的消隐电压的切换信号；及测量部，针对所述多个消隐电极分别测量从切换信号的变化到消隐电压的变化为止的延迟量。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述测量部包括：基准电压产生部，产生基准电压；及延迟量检测部，针对所述多个消隐电极分别检测从所述切换信号的变化到所述消隐电压达到所述基准电压为止的所述延迟量。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述基准电压产生部依次变更地产生所述基准电压；所述延迟量检测部针对所述多个消隐电极，分别相应于所述基准电压发生变更，从而检测从所述切换信号的变化到所述消隐电压到达所述基准电压为止的所述延迟量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述照射控制部包括时机调整部，所述时机调整部单独地调整所述切换信号对所述多个消隐电极各自的输出时机。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述时机调整部针对所述多个消隐电极，分别以所述消隐电压在预先规定的时机到达预先规定的阈值电压的方式，单独地调整所述切换信号的输出时机。6.根据权利要求1至5中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置包括多个驱动电路，所述多个驱动电路与所述多个消隐电极对应设置，分别输出与针对各个消隐电极的切换信号相对应的消隐电压。7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述多个驱动电路包括时间调整部...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛昭二，山田章夫，濑山雅裕，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP